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Direct growth of h-BN multilayers with controlled thickness on non-crystalline dielectric substrates without metal catalysts
Chemical Communications ( IF 4.3 ) Pub Date : 2022-08-03 , DOI: 10.1039/d2cc03025j Xiaoyan Sun 1 , Yuanfang Feng 1 , Fei Wang 1 , Peng Wang 1 , Wei Gao 1 , Hong Yin 1
Chemical Communications ( IF 4.3 ) Pub Date : 2022-08-03 , DOI: 10.1039/d2cc03025j Xiaoyan Sun 1 , Yuanfang Feng 1 , Fei Wang 1 , Peng Wang 1 , Wei Gao 1 , Hong Yin 1
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We report an rGO-assisted CVD approach that enables the direct growth of high-quality single crystalline h-BN films with adjustable thickness and layered order on amorphous quartz and SiO2/Si substrates at relatively low temperatures. This work demonstrates a viable prototype for growing continuous ultrathin h-BN films on desired substrates without the requirement of lattice orientation, thus offering a great opportunity for their appealing applications.
中文翻译：
在没有金属催化剂的非晶介电基板上直接生长厚度可控的 h-BN 多层膜
我们报告了一种 rGO 辅助 CVD 方法，该方法能够在相对较低的温度下在非晶石英和 SiO 2 /Si 基板上直接生长具有可调节厚度和分层顺序的高质量单晶 h-BN 薄膜。这项工作展示了一种可行的原型，可以在不需要晶格取向的情况下在所需基板上生长连续的超薄 h-BN 薄膜，从而为其吸引人的应用提供了很好的机会。
更新日期：2022-08-03
中文翻译：
在没有金属催化剂的非晶介电基板上直接生长厚度可控的 h-BN 多层膜
我们报告了一种 rGO 辅助 CVD 方法，该方法能够在相对较低的温度下在非晶石英和 SiO 2 /Si 基板上直接生长具有可调节厚度和分层顺序的高质量单晶 h-BN 薄膜。这项工作展示了一种可行的原型，可以在不需要晶格取向的情况下在所需基板上生长连续的超薄 h-BN 薄膜，从而为其吸引人的应用提供了很好的机会。
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