The paper presents an SRAM macro capable of working down to 350 mV with programmable wordline boosting feature. Wordline boosting allows us to improve the performance while keep the supply voltage in sub-threshold region. The measurement results on a 16 kb macro achieves minimum energy consumption of 0.536 fJ/b at 400 mV and operating at 400 mV. In addition, the macro achieves 22% lower energy consumption under optimal boost condition with respect to no boost condition for the same operation speed.

中文翻译：

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350 mV、2 MHz、16-kb SRAM，具有 65 nm CMOS 技术中的可编程字线升压

本文介绍了一种 SRAM 宏，能够在低至 350 mV 的电压下工作，并具有可编程字线升压功能。字线升压使我们能够提高性能，同时将电源电压保持在亚阈值区域。在 16 kb 宏上的测量结果在 400 mV 和 400 mV 下运行时的最低能耗为 0.536 fJ/b。此外，宏在最佳升压条件下实现了 22% 的低能耗，相对于相同运行速度的无升压条件。