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Doping on demand in 2D devices
Nature Electronics ( IF 33.7 ) Pub Date : 2020-02-24 , DOI: 10.1038/s41928-020-0376-1 Sung-Joon Lee , Zhaoyang Lin , Xiangfeng Duan , Yu Huang
Nature Electronics ( IF 33.7 ) Pub Date : 2020-02-24 , DOI: 10.1038/s41928-020-0376-1 Sung-Joon Lee , Zhaoyang Lin , Xiangfeng Duan , Yu Huang
High-resolution doping patterns can be reversibly written in van der Waals heterostructures using a combination of an electron beam and a back-gate voltage.
中文翻译:
在2D设备中按需掺杂
使用电子束和背栅电压的组合,可以在范德华异质结构中可逆地写入高分辨率掺杂图案。
更新日期:2020-02-24
中文翻译:
在2D设备中按需掺杂
使用电子束和背栅电压的组合,可以在范德华异质结构中可逆地写入高分辨率掺杂图案。