功能垂直异质结：非层状CdS在单层MoS2各向异性生长

二维半导体异质结在现代微电子和光电子学中扮演着非常重要的角色。异质结通过复合不同的材料，改变能带结构从而实现电学和光电性质的可调。到目前为止，绝大多数报道的二维范德华外延生长的异质结都是基于二维层状化合物复合而成。

哈尔滨工业大学的胡平安教授首次通过化学气相沉积的方法，将非层状的CdS晶体外延在单层MoS₂表面，形成一个具有洁净界面的垂直异质结构。基于该异质结构的光电探测器与单纯的CVD生长的MoS₂光探测器相比较，拓宽了光波响应范围，同时光响应度得到了极大地提高。该研究成果为非层状半导体材料制备类似异质结构，研究高效光电子器件提供了广阔思路。

该研究成果发表于《Adv. Funct. Mater.》。

http://onlinelibrary.wiley.com/resolve/doi?DOI=10.1002%2Fadfm.201504775

原文标题：Anisotropic Growth of Nonlayered CdS on MoS₂ Monolayer for Functional Vertical Heterostructures