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Tuning of electron tunneling: a case study using BODIPY molecular layers.
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2020-01-06 , DOI: 10.1039/c9cp05918k Neelam Shivran 1 , Shankar P Koiry 2 , Chiranjib Majumder 3 , Anil K Chauhan 2 , Dinesh K Aswal 4 , Subrata Chattopadhyay 1 , Soumyaditya Mula 5
Physical Chemistry Chemical Physics ( IF 2.9 ) Pub Date : 2020-01-06 , DOI: 10.1039/c9cp05918k Neelam Shivran 1 , Shankar P Koiry 2 , Chiranjib Majumder 3 , Anil K Chauhan 2 , Dinesh K Aswal 4 , Subrata Chattopadhyay 1 , Soumyaditya Mula 5
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Redox active π-conjugated organic molecules have shown the potential to be used as electronic components such as diode and memory elements. Here, we demonstrate that using simple surface chemistry, rectification characteristics can be tuned to reproducible negative differential resistance (NDR) with a very high peak-to-valley ratio (PVR) up to 1000 in 2,6-diethyl-4,4-difluoro-1,3,5,7,8-pentamethyl-4-bora-3a,4a-diaza-s-indecene (BODIPY) grafted on Si. The change in properties is related to oxidation and reduction of BODIPY, which results in the change in resonant to non-resonant tunneling of electrons under bias. This has been explained by the ab initio molecular-orbital theoretical calculations.
中文翻译：
电子隧穿的调谐：使用BODIPY分子层的案例研究。
氧化还原活性π共轭有机分子已显示出可用作电子组件（如二极管和存储元件）的潜力。在这里，我们证明使用简单的表面化学，可以将整流特性调整为可再现的负差动电阻（NDR），在2,6-二乙基-4,4-中具有非常高的峰谷比（PVR），最高可达1000在硅上接枝的二氟1,3,5,7,8-五甲基-4-硼3a，4a-二氮杂-s-癸烯（BODIPY）。性质的变化与BODIPY的氧化和还原有关，BODIPY的氧化和还原导致偏压下电子的共振到非共振隧穿的改变。从头算分子轨道理论计算已对此进行了解释。
更新日期：2020-01-06
中文翻译：
电子隧穿的调谐：使用BODIPY分子层的案例研究。
氧化还原活性π共轭有机分子已显示出可用作电子组件（如二极管和存储元件）的潜力。在这里，我们证明使用简单的表面化学，可以将整流特性调整为可再现的负差动电阻（NDR），在2,6-二乙基-4,4-中具有非常高的峰谷比（PVR），最高可达1000在硅上接枝的二氟1,3,5,7,8-五甲基-4-硼3a，4a-二氮杂-s-癸烯（BODIPY）。性质的变化与BODIPY的氧化和还原有关，BODIPY的氧化和还原导致偏压下电子的共振到非共振隧穿的改变。从头算分子轨道理论计算已对此进行了解释。
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