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MRAM gets closer to the core
Nature Electronics ( IF 33.7 ) Pub Date : 2019-12-06 , DOI: 10.1038/s41928-019-0340-0 Yizhou Liu , Guoqiang Yu
Nature Electronics ( IF 33.7 ) Pub Date : 2019-12-06 , DOI: 10.1038/s41928-019-0340-0 Yizhou Liu , Guoqiang Yu
Improvements in magnetic tunnel junctions allows a 2 MB magnetic random-access memory array to be scaled for L4 cache applications.
中文翻译:
MRAM接近核心
磁性隧道结的改进允许为L4高速缓存应用扩展2 MB的磁性随机存取存储器阵列。
更新日期:2019-12-07
中文翻译:
MRAM接近核心
磁性隧道结的改进允许为L4高速缓存应用扩展2 MB的磁性随机存取存储器阵列。