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Unexpected Benefits of Contact Resistance in 3D Organic Complementary Inverters
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2019-10-30 , DOI: 10.1002/aelm.201900879 Heesung Han 1 , Chang‐Hyun Kim 1
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2019-10-30 , DOI: 10.1002/aelm.201900879 Heesung Han 1 , Chang‐Hyun Kim 1
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Contact resistance has long been a major problem in organic transistors. The potential advantages of having such a resistance in novel organic field‐effect complementary inverters are demonstrated by means of finite‐element simulation. A systematic introduction of the charge‐injection barrier leads to a remarkable enhancement in the voltage transfer curve. Quantitatively, the maximum gain increases from 8.9 to 50 by increasing the barrier from 0 to 0.5 eV, at a dielectric thickness of 600 nm and a supply voltage of 5 V. This observation is elucidated by the fundamental transistor parameters and by the carrier distribution inside the semiconductors. These results suggest that the established paradigm of device engineering may have to be reconsidered when designing specific circuit applications.
中文翻译：
3D有机互补逆变器中接触电阻的意外好处
长期以来，接触电阻一直是有机晶体管中的主要问题。通过有限元仿真证明了在新型有机场效应互补逆变器中具有这种电阻的潜在优势。电荷注入势垒的系统引入导致电压传输曲线显着增强。定量地，在600 nm的电介质厚度和5 V的电源电压下，通过将势垒从0增加到0.5 eV，最大增益从8.9增加到50 eV。这一观察结果通过基本的晶体管参数和内部的载流子分布得以阐明。半导体。这些结果表明，在设计特定的电路应用时，可能必须重新考虑已建立的设备工程范式。
更新日期：2020-01-13
中文翻译：
3D有机互补逆变器中接触电阻的意外好处
长期以来，接触电阻一直是有机晶体管中的主要问题。通过有限元仿真证明了在新型有机场效应互补逆变器中具有这种电阻的潜在优势。电荷注入势垒的系统引入导致电压传输曲线显着增强。定量地，在600 nm的电介质厚度和5 V的电源电压下，通过将势垒从0增加到0.5 eV，最大增益从8.9增加到50 eV。这一观察结果通过基本的晶体管参数和内部的载流子分布得以阐明。半导体。这些结果表明，在设计特定的电路应用时，可能必须重新考虑已建立的设备工程范式。
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