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Rapid and Selective Determination of Vanillin in the Presence of Caffeine, its Electrochemical Behavior on an Au Electrode Electropolymerized with 3‐amino‐1,2,4‐triazole‐5‐thiol
Electroanalysis ( IF 2.7 ) Pub Date : 2019-07-25 , DOI: 10.1002/elan.201900328 Tuğba Tabanlıgil Calam 1 , Demet Uzun 2
Electroanalysis ( IF 2.7 ) Pub Date : 2019-07-25 , DOI: 10.1002/elan.201900328 Tuğba Tabanlıgil Calam 1 , Demet Uzun 2
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Electrochemical oxidation of vanillin (VAN) in the presence of caffeine (CAF) was studied on a gold (Au) electrode modified with 3‐amino‐1,2,4‐triazole‐5‐thiol (ATT) film by using differential pulse voltammetry (DPV) and cyclic voltammetry (CV) method. The formation of the ATT film on the Au electrode surface was characterized by the CV, fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and impedance spectroscopy (EIS) methods. A single irreversible oxidation peak of the VAN was obtained by using the CV method. The determination of VAN in the presence of CAF was carried out at pH 4 in Britton Robinson buffer (BR) by the DPV method. Under the optimal conditions, the oxidation peak current was proportional to the concentration of VAN in the range of 1.1 μM to 76.4 μM in the presence of CAF with the correlation coefficient of 0.997 and the detection limit of 0.19 μM (S/N=3). The selective determination of VAN in a commercial coffee sample was carried out with satisfactory results on the ATT‐Au modified electrode.
中文翻译：
咖啡因存在下香兰素的快速选择性测定及其在3-氨基1,2,4-三唑-5硫醇电聚合的金电极上的电化学行为
在咖啡因（CAF）存在下，对香兰素（VAN）进行电化学氧化，采用差分脉冲伏安法在用3-氨基1,2,4-三唑-5硫醇（ATT）膜修饰的金（Au）电极上进行研究（DPV）和循环伏安法（CV）方法。通过CV，傅立叶变换红外光谱（FTIR）和阻抗光谱（EIS）方法对Au电极表面ATT膜的形成进行了表征。通过使用CV方法获得了VAN的单个不可逆氧化峰。在CAF存在下，通过DPV方法在Britton Robinson缓冲液（BR）中于pH 4进行VAN的测定。在最佳条件下，在存在CAF且相关系数为0的情况下，氧化峰电流与VAN浓度在1.1μM至76.4μM范围内成比例。997，检出限为0.19μM（S / N = 3）。在ATT-Au修饰电极上对商用咖啡样品中的VAN进行了选择性测定，结果令人满意。
更新日期：2019-11-18
中文翻译：
咖啡因存在下香兰素的快速选择性测定及其在3-氨基1,2,4-三唑-5硫醇电聚合的金电极上的电化学行为
在咖啡因（CAF）存在下，对香兰素（VAN）进行电化学氧化，采用差分脉冲伏安法在用3-氨基1,2,4-三唑-5硫醇（ATT）膜修饰的金（Au）电极上进行研究（DPV）和循环伏安法（CV）方法。通过CV，傅立叶变换红外光谱（FTIR）和阻抗光谱（EIS）方法对Au电极表面ATT膜的形成进行了表征。通过使用CV方法获得了VAN的单个不可逆氧化峰。在CAF存在下，通过DPV方法在Britton Robinson缓冲液（BR）中于pH 4进行VAN的测定。在最佳条件下，在存在CAF且相关系数为0的情况下，氧化峰电流与VAN浓度在1.1μM至76.4μM范围内成比例。997，检出限为0.19μM（S / N = 3）。在ATT-Au修饰电极上对商用咖啡样品中的VAN进行了选择性测定，结果令人满意。
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