Within the last decade powerful methods have been developed to study surfaces using bright low-energy positron beams. These novel analysis tools exploit the unique properties of positron interaction with surfaces, which comprise the absence of exchange interaction, repulsive crystal potential and positron trapping in delocalized surface states at low energies. By applying reflection high-energy positron diffraction (RHEPD) one can benefit from the phenomenon of total reflection below a critical angle that is not present in electron surface diffraction. Therefore, RHEPD allows the determination of the atom positions of (reconstructed) surfaces with outstanding accuracy. The main advantages of positron annihilation induced Auger-electron spectroscopy (PAES) are the missing secondary electron background in the energy region of Auger-transitions and its topmost layer sensitivity for elemental analysis. In order to enable the investigation of the electron polarization at surfaces low-energy spin-polarized positrons are used to probe the outermost electrons of the surface. Furthermore, in fundamental research the preparation of well defined surfaces tailored for the production of bound leptonic systems plays an outstanding role. In this report, it is envisaged to cover both the fundamental aspects of positron surface interaction and the present status of surface studies using modern positron beam techniques.

在过去的十年中，已经开发了使用明亮的低能量正电子束研究表面的强大方法。这些新颖的分析工具利用了正电子与表面相互作用的独特属性，包括在低能量下不存在交换相互作用，排斥晶体电势和在离域表面状态中存在正电子俘获。通过应用反射高能正电子衍射（RHEPD），可以受益于电子表面衍射中不存在的临界角以下的全反射现象。因此，RHEPD允许以出色的精度确定（重建的）表面的原子位置。正电子an没诱导的俄歇电子能谱（PAES）的主要优点是在俄歇跃迁的能量区域中缺少次级电子背景，并且其元素分析的最顶层灵敏度很高。为了能够研究表面的电子极化，使用了低能自旋极化的正电子来探测表面的最外层电子。此外，在基础研究中，为结合束缚的轻子系统的生产而量身定制的轮廓分明的表面起着重要的作用。在本报告中，设想涵盖正电子表面相互作用的基本方面以及使用现代正电子束技术进行的表面研究的现状。为了能够研究表面的电子极化，使用了低能自旋极化的正电子来探测表面的最外层电子。此外，在基础研究中，为结合束缚的轻子系统的生产而量身定制的轮廓分明的表面起着重要的作用。在本报告中，设想涵盖正电子表面相互作用的基本方面以及使用现代正电子束技术进行的表面研究的现状。为了能够研究表面的电子极化，使用了低能自旋极化的正电子来探测表面的最外层电子。此外，在基础研究中，为结合束缚的轻子系统的生产而量身定制的轮廓分明的表面起着重要的作用。在本报告中，设想涵盖正电子表面相互作用的基本方面以及使用现代正电子束技术进行的表面研究的现状。