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3D DRAM with stacked oxide-semiconductor channel transistors
Nature Electronics ( IF 40.9 ) Pub Date : 2025-12-05 , DOI: 10.1038/s41928-025-01521-z Taeyoung Song , Asif Islam Khan
中文翻译：
采用叠层氧化物-半导体通道晶体管的 3D DRAM
更新日期：2025-12-05
Nature Electronics ( IF 40.9 ) Pub Date : 2025-12-05 , DOI: 10.1038/s41928-025-01521-z Taeyoung Song , Asif Islam Khan
中文翻译：
采用叠层氧化物-半导体通道晶体管的 3D DRAM
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