Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
通过氧化物电极的拓扑相变控制铁电 HfO2 薄膜生长的确定性取向
ACS Nano ( IF 17.1 ) Pub Date : 2024-05-11 , DOI: 10.1021/acsnano.3c07410 Kyoungjun Lee 1 , Kunwoo Park 2, 3 , In Hyeok Choi 4 , Jung Woo Cho 1 , Myeong Seop Song 1 , Chang Hoon Kim 5 , Jun Hee Lee 5, 6 , Jong Seok Lee 4 , Jungwon Park 2, 3 , Seung Chul Chae 1
Affiliation
|
HfO 2 的无标度铁电性与优异的硅兼容性重新唤醒了小型化非易失性器件的可行性，超越了基于铁电材料的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 架构。然而，尽管发展迅速，但对 HfO 2 氧离子运动的亚稳态铁电相的基本理解和控制仍然不明确。在这项研究中，我们通过氧离子运动确定性地控制了单晶铁电相 HfO 2 薄膜的取向。通过氧离子在氧反应金属电极和 HfO 2 的稳定。 > 层。通过氧离子迁移稳定HfO 2 的不同极化方向，我们可以深刻理解铁电HfO 2 与氧离子相关的不清楚现象。
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号