硅表面织构是制造晶体硅太阳能电池以提高转换效率的重要组成部分。通过调整刻蚀制绒条件，在晶体硅衬底上制备倒金字塔（IP）和正金字塔（UP）制绒，用于制作PERC太阳能电池。表面形貌不仅影响光捕获，还影响电极遮光损失和前电极接触界面。 IP纹理化由于更常见的光路和更窄的银网格而呈现出更好的抗反射性能，因为凹块结构上银浆的流动更少，这两者都导致更高的短路电流密度（J）。然而，就正面Ag/Si接触界面而言，IP织构化在目前适合UP织构化的条件下，由于IP上部边缘较多，导致更多的Ag微晶和更多的表面复合，从而导致开路电压较低（五）。 IP太阳能电池的最终转换效率（23.61%）比UP太阳能电池的最终转换效率（23.55%）高0.06%。 IP 样品的 J 提高了约 0.07 mA/cm，V 因 IP 纹理化的表面重组而降低了 0.3 mV。综上所述，IP的结构特性导致较低的反射率和较少的电极遮蔽，而Ag/Si接触界面可以通过调整加工条件来优化，最终有望获得更高的效率。



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