通过离子掺杂、单原子修饰和空位引入来增强光催化活性是一种很有前途的方法，但迄今为止，实现它们同时出现在一种材料中的简单方法仍然是一个巨大的挑战。在此，开发了一种低价阳离子掺杂和浸出的原始策略来构建具有多个缺陷的铜单原子（Cu SA）修饰和单价铜离子（Cu）掺杂的ZnInS光催化剂（RCu-ZIS）。 Cu掺杂原子和Cu/In/S空位团簇引起贫电子区，同时S空位和孤立的Cu SA导致富电子区，从而形成一些具有不同电荷状态的局域电场，可以充当电子-接受和捐赠中心加速光载流子的转移和分离。优化后的 RCu-ZIS 具有 70.58 mmol·g·h 的高可见光驱动 H 析出活性，420 nm 处的 AQE 为 12.24%。这项工作开辟了一种通过合理的结构微调来增强光催化活性的一体化修饰策略。



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