通过光刻技术制造的超精细半导体经历了从深紫外（DUV）工艺到极紫外（EUV）工艺的重大转变，这带来了新的挑战。_{具体而言，EUV诱导的H 2}等离子体对EUV系统中使用的组件（例如光刻设备内的多层反射镜、掩模版和薄膜）造成的损坏是直接影响工艺良率和设备寿命的关键问题。为了解决这些问题，建立一个类似于 EUV 诱导等离子体的环境并开发一种评估所造成的损害的方法至关重要。因此，开发了一种用于评估感应耦合H ₂等离子体中氢自由基和离子引起的材料损伤的评估方法。在这些系统中，电子密度范围为5×10 ⁸至3.5×10 ¹⁰ cm ^-3，电子温度范围为1至4eV，离子能量范围为数至数十eV。这些条件与 EUV 诱导的 H ₂等离子体的环境密切相关。通过测量孔隙面积的比例并检查样品暴露于各种等离子体条件（包括电子密度、气压和暴露时间）后的化学特性，定量分析了Mo ₂ C（一种潜在的 EUV 薄膜材料）的损坏情况。



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