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揭示 Ag2Se 单晶有前景的近室温热电性能
Journal of Materiomics ( IF 9.4 ) Pub Date : 2023-03-06 , DOI: 10.1016/j.jmat.2023.02.003
Siqi Lin , Linlin Guo , Xianghu Wang , Yue Liu , Yuying Wu , Rongbin Li , Hezhu Shao , Min Jin

凭借高载流子迁移率和固有的低晶格热导率,Ag 2 Se化合物在室温附近的热电应用中引起了越来越多的关注。由于其在~406 K的相变以及由此产生的热体积膨胀,大尺寸Ag 2 Se单晶的生长和热电性能迄今为止鲜有报道。在这项工作中,垂直布里奇曼方法用于生长块状Ag 2 Se单晶,其取向优先沿低对称(201)面。高达 2 000 cm 2 /(V·s) 的霍尔迁移率和弱电子声子耦合有助于在近室温β下实现约 7.0 的高电子质量B E-Ag 2 Se单晶,其性能优于高温相α -Ag 2 Se。在 300 K 时观察到的低晶格热导率为 0.8 W/(m·K),这是由于低群速度和强非谐性所致。在β -Ag 2 Se 晶体中实现了375 K 处 0.66 的峰值zT和 300-375 K 处 0.65 的平均zT 。通过实验和理论分析证实了其低维氏硬度和良好的延展性。该工作不仅合成了大尺寸、高取向的Ag 2Se晶体,还揭示了其在室温附近各种应用的热电性能和机械性能的巨大潜力。





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更新日期:2023-03-06
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