The silicon carbide (SiC) waffle-substrate ${n}$ -channel insulated gate bipolar transistor (IGBT) is a vertical IGBT designed to operate at blocking voltages below about 15 kV. At these voltages, the drift and anode layers are too thin to allow complete removal of the ${n}^{+}$ substrate. Instead, a waffle pattern is etched through the substrate to expose the buried anode layer while preserving the structural integrity of the wafer. The feasibility of this approach is demonstrated by fabricating a 10-kV class ${n}$ -channel IGBT with a differential specific ON-resistance of 160 $\text{m}\Omega \cdot \text{cm}^{2}$ .

中文翻译：

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在 4H-SiC 中演示 10kV 级 Waffle 基板 n 沟道 IGBT,在 4H-SiC 中演示 10kV 级 Waffle 基板 n 沟道 IGBT

碳化硅 (SiC) 华夫基板 ${n}$ 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种垂直 IGBT，设计用于在低于约 15 kV 的阻断电压下工作。在这些电压下，漂移层和阳极层太薄，无法完全去除 ${n}^{+}$基质。取而代之的是，通过衬底蚀刻华夫格图案以暴露掩埋的阳极层，同时保持晶片的结构完整性。这种方法的可行性通过制造 10 kV 级来证明 ${n}$ 具有 160 的差分导通电阻的通道 IGBT $\text{m}\Omega \cdot \text{cm}^{2}$ .,碳化硅 (SiC) 华夫基板 ${n}$ 沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是一种垂直 IGBT，设计用于在低于约 15 kV 的阻断电压下工作。在这些电压下，漂移层和阳极层太薄，无法完全去除 ${n}^{+}$基质。取而代之的是，通过衬底蚀刻华夫格图案以暴露掩埋的阳极层，同时保持晶片的结构完整性。这种方法的可行性通过制造 10 kV 级来证明 ${n}$ 具有 160 的差分导通电阻的通道 IGBT $\text{m}\Omega \cdot \text{cm}^{2}$ .