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Back-End-of-Line SiC-Based Memristor for Resistive Memory and Artificial Synapse (Adv. Electron. Mater. 9/2022)
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2022-09-07 , DOI: 10.1002/aelm.202270046 Omesh Kapur , Dongkai Guo , Jamie Reynolds , Yisong Han , Richard Beanland , Liudi Jiang , C. H. (Kees) de Groot , Ruomeng Huang
Advanced Electronic Materials ( IF 5.3 ) Pub Date : 2022-09-07 , DOI: 10.1002/aelm.202270046 Omesh Kapur , Dongkai Guo , Jamie Reynolds , Yisong Han , Richard Beanland , Liudi Jiang , C. H. (Kees) de Groot , Ruomeng Huang
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SiC Based Memristor for Resistive Memory and Artificial Synapse
中文翻译：
用于电阻性存储器和人工突触的基于 SiC 的后端忆阻器 (Adv. Electron. Mater. 9/2022)
用于电阻性记忆和人工突触的基于 SiC 的忆阻器
更新日期：2022-09-08
中文翻译：
用于电阻性存储器和人工突触的基于 SiC 的后端忆阻器 (Adv. Electron. Mater. 9/2022)
用于电阻性记忆和人工突触的基于 SiC 的忆阻器
京公网安备 11010802027423号