当前位置：
X-MOL 学术
›
Int. J. Electron.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
FinFET-based 11T sub-threshold SRAM with improved stability and power
International Journal of Electronics ( IF 1.1 ) Pub Date : 2022-09-14 , DOI: 10.1080/00207217.2022.2121987 Erfan Abbasian 1 , Shilpi Birla 2 , Alireza Asadi 1 , Sobhan Sofimowloodi 3
International Journal of Electronics ( IF 1.1 ) Pub Date : 2022-09-14 , DOI: 10.1080/00207217.2022.2121987 Erfan Abbasian 1 , Shilpi Birla 2 , Alireza Asadi 1 , Sobhan Sofimowloodi 3
Affiliation
This paper presents a single-ended 11T sub-threshold SRAM (SE11T) based on 10-nm FinFET technology. The performance of the proposed design is evaluated and compared with those of other state-of-the...
中文翻译：
基于 FinFET 的 11T 亚阈值 SRAM，具有更高的稳定性和功耗
本文提出了一种基于 10 nm FinFET 技术的单端 11T 亚阈值 SRAM (SE11T)。对所提出的设计的性能进行了评估，并与其他现有设计的性能进行了比较……
更新日期：2022-09-14
中文翻译：
基于 FinFET 的 11T 亚阈值 SRAM，具有更高的稳定性和功耗
本文提出了一种基于 10 nm FinFET 技术的单端 11T 亚阈值 SRAM (SE11T)。对所提出的设计的性能进行了评估，并与其他现有设计的性能进行了比较……
京公网安备 11010802027423号