In this work, we employ the results of atomistic DFT calculation to extract useful parameters for the simulation of few-layers MoS₂ structures with traditional TCAD tools. In particular, we focus on the charge distribution, which allows us to obtain a layered model for the dielectric constant, and on the effective densities of states in the conduction and valence bands taking into account the full 2D density of states. Using this model, we compute the capacitance of a metal–oxide–semiconductor structure and compare it to the one obtained employing a uniform model with averaged effective parameters.

中文翻译：

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面向 MoS2 的 TCAD 模拟的基于 DFT 的分层模型

在这项工作中，我们使用原子 DFT 计算的结果来提取有用的参数，用于使用传统 TCAD 工具模拟少层 MoS ₂结构。特别是，我们关注电荷分布，这使我们能够获得介电常数的分层模型，以及考虑到完整的二维状态密度的导带和价带中的有效态密度。使用该模型，我们计算金属-氧化物-半导体结构的电容，并将其与使用具有平均有效参数的均匀模型获得的电容进行比较。