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Metal Halide Perovskite-Based Memristors for Emerging Memory Applications
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2022-06-16 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.2c01303 Youngjun Park 1 , Jang-Sik Lee 1
The Journal of Physical Chemistry Letters ( IF 4.8 ) Pub Date : 2022-06-16 , DOI: 10.1021/acs.jpclett.2c01303 Youngjun Park 1 , Jang-Sik Lee 1
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There is an increased demand for next-generation memory devices with high density and fast operation speed to replace conventional memory devices. Memristors are promising candidates for next-generation memory devices because of their scalability, stable data retention, low power consumption, and fast operation. Among the various types of memristors, halide perovskites exhibit potential as emerging materials for memristors by using hysteresis based on the movement of defects or ions in halide perovskites. However, research on the implementation of perovskite materials as memristors is in its early stages; some challenges and problems must be solved to enable the practical application of halide perovskites for next-generation memory devices. From this perspective, we highlight the recent progress in memristors that use halide perovskites. Moreover, we introduce a strategy to enhance the performance and analyze the operation mechanism of memory devices that use halide perovskites. Finally, we summarize the challenges in the development of device technology to use halide perovskites in next-generation memory devices.
中文翻译：
用于新兴存储器应用的金属卤化物钙钛矿型忆阻器
对具有高密度和快速操作速度的下一代存储器件的需求不断增加，以取代传统的存储器件。忆阻器因其可扩展性、稳定的数据保留、低功耗和快速运行而成为下一代存储设备的有希望的候选者。在各种类型的忆阻器中，卤化物钙钛矿通过利用基于卤化物钙钛矿中缺陷或离子运动的滞后现象，展现出作为忆阻器新兴材料的潜力。然而，钙钛矿材料作为忆阻器的应用研究还处于早期阶段。必须解决一些挑战和问题才能使卤化物钙钛矿在下一代存储设备中得到实际应用。从这个角度来看，我们强调了使用卤化物钙钛矿的忆阻器的最新进展。而且，我们介绍了一种提高性能的策略，并分析了使用卤化物钙钛矿的存储设备的运行机制。最后，我们总结了在下一代存储设备中使用卤化物钙钛矿的设备技术开发面临的挑战。
更新日期：2022-06-16
中文翻译：
用于新兴存储器应用的金属卤化物钙钛矿型忆阻器
对具有高密度和快速操作速度的下一代存储器件的需求不断增加，以取代传统的存储器件。忆阻器因其可扩展性、稳定的数据保留、低功耗和快速运行而成为下一代存储设备的有希望的候选者。在各种类型的忆阻器中，卤化物钙钛矿通过利用基于卤化物钙钛矿中缺陷或离子运动的滞后现象，展现出作为忆阻器新兴材料的潜力。然而，钙钛矿材料作为忆阻器的应用研究还处于早期阶段。必须解决一些挑战和问题才能使卤化物钙钛矿在下一代存储设备中得到实际应用。从这个角度来看，我们强调了使用卤化物钙钛矿的忆阻器的最新进展。而且，我们介绍了一种提高性能的策略，并分析了使用卤化物钙钛矿的存储设备的运行机制。最后，我们总结了在下一代存储设备中使用卤化物钙钛矿的设备技术开发面临的挑战。
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