A 1.9-dB NF K-band phased-array receiver (RX) is presented, which employs the hybrid packaged 65-nm CMOS beamformer and 0.1- $\mu \text{m}$ GaAs LNAs based on the fan-out wafer-level chip-scale packaging (WLCSP) technology. Power-efficient gain and phase tuning blocks are utilized to reduce power consumption. Temperature-healing design methodology is adopted to ensure nearly constant gain response versus temperature variations. The proposed phased-array RX only consumes 30.2-mW dc power per channel and achieves < 1.2-dB gain variation and < 0.9-dB NF variation from −40 °C to 85 °C.

中文翻译：

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采用混合封装的 65-nm CMOS 波束形成器和 0.1-μm GaAs LNA 的 1.9-dB NF K 波段温度修复相控阵接收器

提出了一种 1.9-dB NF K 波段相控阵接收器 (RX)，它采用混合封装的 65-nm CMOS 波束形成器和 0.1- $\mu \text{m}$GaAs LNA 基于扇出晶圆级芯片级封装 (WLCSP) 技术。使用节能增益和相位调谐块来降低功耗。采用温度修复设计方法来确保增益响应与温度变化的关系几乎恒定。所提出的相控阵 RX 每个通道仅消耗 30.2-mW 直流功率，并且在 -40 °C 至 85 °C 的温度范围内实现了 < 1.2-dB 的增益变化和 < 0.9-dB 的 NF 变化。