Memristor is a promising device as a fundamental building block for future unconventional system architectures such as neuromorphic computing, reconfigurable logic, and multibit memories. Therefore, to facilitate circuit design using memristors, accurate and efficient models spanning a wide range of programming voltages and temperatures are required. In the first part of this series, we propose a behavioral model for temperature dependence of nonvolatile switching dynamics of TiO _x memristors. We begin by describing pulsed resistance transients (PRTs) of the memristors and then we use a multistage methodology to establish bias and temperature dependence of the model parameters. The proposed model is then shown to accurately describe the PRT characteristics of Pt/TiO _x /Au and Pt/TiO _x /Pt memristors.

中文翻译：

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基于 TiOₓ 的忆阻器的开关动力学和温度依赖性的紧凑建模——第一部分：行为模型

忆阻器是一种很有前途的器件，可作为未来非常规系统架构（如神经形态计算、可重构逻辑和多位存储器）的基本构建块。因此，为了促进使用忆阻器的电路设计，需要跨越大范围编程电压和温度的准确且高效的模型。在本系列的第一部分中，我们提出了 TiO _x忆阻器的非易失性开关动力学的温度依赖性行为模型 。我们首先描述忆阻器的脉冲电阻瞬变 (PRT)，然后我们使用多级方法来建立模型参数的偏置和温度依赖性。然后显示所提出的模型可以准确描述 Pt/TiO _x /Au 和 Pt/TiO 的 PRT 特性 _x /Pt 忆阻器。