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Cover Feature: Group 14 Central Atoms and Halogen Bonding in Different Dielectric Environments: How Germanium Outperforms Silicon (ChemPlusChem 10/2021)
ChemPlusChem ( IF 3.0 ) Pub Date : 2021-09-15 , DOI: 10.1002/cplu.202100409 Kelling J. Donald 1 , Supreeth Prasad 1 , Kaitlin Wilson 1
ChemPlusChem ( IF 3.0 ) Pub Date : 2021-09-15 , DOI: 10.1002/cplu.202100409 Kelling J. Donald 1 , Supreeth Prasad 1 , Kaitlin Wilson 1
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The Cover Feature shows the Group 14 elements M=C, Si, and Ge in order of the effective electron-withdrawing power of the −MF3 fragment. C and Ge far outperform Si in mediating polarization of a fourth substituent such as I in F3M−I in the gas and solution phases. Thus, polarized germanium halide sites in molecules and solids (but not Si alternatives) may form strong halogen bonds that are comparable to those formed by their organic analogues. More information can be found in the Full Paper by K. J. Donald and co-workers.
中文翻译：
封面特色：不同介电环境中的 14 族中心原子和卤素键合：锗如何优于硅 (ChemPlusChem 10/2021)
覆盖特征按 -MF 3碎片的有效吸电子能力的顺序显示了第 14 族元素 M=C、Si 和 Ge 。在气相和溶液相中，C 和 Ge 在介导第四个取代基（例如 F 3 M-I 中的 I）的极化方面远胜于 Si 。因此，分子和固体（但不是 Si 替代物）中的极化卤化锗位点可能会形成强卤素键，与由它们的有机类似物形成的那些键相当。更多信息可以在 K. J. Donald 及其同事的全文中找到。
更新日期：2021-10-01
中文翻译：
封面特色：不同介电环境中的 14 族中心原子和卤素键合：锗如何优于硅 (ChemPlusChem 10/2021)
覆盖特征按 -MF 3碎片的有效吸电子能力的顺序显示了第 14 族元素 M=C、Si 和 Ge 。在气相和溶液相中，C 和 Ge 在介导第四个取代基（例如 F 3 M-I 中的 I）的极化方面远胜于 Si 。因此，分子和固体（但不是 Si 替代物）中的极化卤化锗位点可能会形成强卤素键，与由它们的有机类似物形成的那些键相当。更多信息可以在 K. J. Donald 及其同事的全文中找到。
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