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CTS Quantum Dots–ZnO Nanocomposites for Broadband Photodetection
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2021-09-13 , DOI: 10.1021/acsaelm.1c00545 Sanjeev Mani Yadav 1 , Ashish Kumar Chaurasia 1 , Gopal Rawat 2 , Amritanshu Pandey 1
ACS Applied Electronic Materials ( IF 4.3 ) Pub Date : 2021-09-13 , DOI: 10.1021/acsaelm.1c00545 Sanjeev Mani Yadav 1 , Ashish Kumar Chaurasia 1 , Gopal Rawat 2 , Amritanshu Pandey 1
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This paper reports the fabrication of a high-performance and broadband photodetector based on the Cu2SnS3 (CTS) quantum dots (QDs)/ZnO hybrid structure on ITO glass. The enhanced performance and a broad-spectrum photodetector have been achieved for this hybrid structure compared with any single-material-based device. The visible–near-infrared (NIR)-sensitive capabilities of CTS QDs have been combined with UV-sensitive ZnO thin films for broadband operation. The heterostructure device has been fabricated by simple drop-casting of CTS QDs on low-cost spin-coated ZnO thin films on the ITO substrate. The fabricated device possesses good photoresponse properties (sensitivity, responsivity) from the visible to NIR spectrum. The resultant responsivity of the CTS QDs/ZnO/ITO photodetector measured under UV (@360 nm), visible (@720 nm), and NIR (@1050 nm) illuminations has been found to be ∼2.8, ∼0.2, and ∼0.4 (A/W), respectively, at 2.5 V. The designed hybrid device may provide a competitive wideband photodetector having merits of low cost and a simple fabrication structure.
中文翻译：
用于宽带光电检测的 CTS 量子点-ZnO 纳米复合材料
本文报道了基于 Cu 2 SnS 3的高性能宽带光电探测器的制造ITO 玻璃上的 (CTS) 量子点 (QD)/ZnO 混合结构。与任何基于单一材料的器件相比，这种混合结构已经实现了增强的性能和广谱光电探测器。CTS QD 的可见光-近红外 (NIR) 敏感能力与紫外线敏感的 ZnO 薄膜相结合，可实现宽带操作。异质结构器件是通过在 ITO 基板上的低成本旋涂 ZnO 薄膜上简单滴铸 CTS QD 来制造的。制造的器件具有从可见光到 NIR 光谱的良好光响应特性（灵敏度、响应度）。已发现在 UV (@360 nm)、可见光 (@720 nm) 和 NIR (@1050 nm) 照明下测量的 CTS QDs/ZnO/ITO 光电探测器的响应率为 ~2.8、~0.2 和 ~0.4 (A/W)，分别为 2.5 V。
更新日期：2021-09-28
中文翻译：
用于宽带光电检测的 CTS 量子点-ZnO 纳米复合材料
本文报道了基于 Cu 2 SnS 3的高性能宽带光电探测器的制造ITO 玻璃上的 (CTS) 量子点 (QD)/ZnO 混合结构。与任何基于单一材料的器件相比，这种混合结构已经实现了增强的性能和广谱光电探测器。CTS QD 的可见光-近红外 (NIR) 敏感能力与紫外线敏感的 ZnO 薄膜相结合，可实现宽带操作。异质结构器件是通过在 ITO 基板上的低成本旋涂 ZnO 薄膜上简单滴铸 CTS QD 来制造的。制造的器件具有从可见光到 NIR 光谱的良好光响应特性（灵敏度、响应度）。已发现在 UV (@360 nm)、可见光 (@720 nm) 和 NIR (@1050 nm) 照明下测量的 CTS QDs/ZnO/ITO 光电探测器的响应率为 ~2.8、~0.2 和 ~0.4 (A/W)，分别为 2.5 V。
京公网安备 11010802027423号