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Unraveling the growth mechanism of W18O49 nanowires on W surfaces
CrystEngComm ( IF 2.6 ) Pub Date : 2021-08-09 , DOI: 10.1039/d1ce00793a Suresh Bandi 1 , Ajeet K. Srivastav 1
CrystEngComm ( IF 2.6 ) Pub Date : 2021-08-09 , DOI: 10.1039/d1ce00793a Suresh Bandi 1 , Ajeet K. Srivastav 1
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Understanding the growth mechanism is crucial for controlling the morphology and further designing efficient nanostructured materials. Non-stoichiometric tungsten oxides, in particular, W18O49 nanostructures have shown their prominence for various functional applications. This work presents the growth mechanism of W18O49 nanowires on W surfaces under H2O(v) atmosphere. The phase evolutions are unfolded in view of the detailed thermodynamic considerations. The reaction between W and H2O(v) produces WO3 along with H2 as a by-product. H2 acts as a reductant for WO3 and facilitates the W18O49 phase formation. The complete crystallographic relation of the phase transformation could be represented as W(110)//WO3(010)//W18O49(010). The oxygen vacancy-induced planar defects are responsible for the 1d [010] growth of W18O49 NWs. The hexagonal tunnels along the NW length create a passage for H2O(v) to repeat the reaction and increase the NW length.
中文翻译：
揭示 W18O49 纳米线在 W 表面的生长机制
了解生长机制对于控制形态和进一步设计有效的纳米结构材料至关重要。非化学计量的氧化钨，特别是 W 18 O 49纳米结构已显示出它们在各种功能应用中的突出地位。这项工作介绍了 W 18 O 49纳米线在 H 2 O( v ) 气氛下在 W 表面上的生长机制。鉴于详细的热力学考虑，相演变展开。W和H 2 O( v )之间的反应产生WO 3以及作为副产物的H 2。H 2充当WO 3的还原剂并促进W 18 O 49相的形成。相变的完整结晶关系可以表示为W(110)//WO 3 (010)//W 18 O 49 (010)。氧空位引起的平面缺陷是W 18 O 49纳米线1 d [010] 生长的原因。沿着 NW 长度的六边形隧道为 H 2 O( v )创建了一个通道，以重复反应并增加 NW 长度。
更新日期：2021-09-02
中文翻译：
揭示 W18O49 纳米线在 W 表面的生长机制
了解生长机制对于控制形态和进一步设计有效的纳米结构材料至关重要。非化学计量的氧化钨，特别是 W 18 O 49纳米结构已显示出它们在各种功能应用中的突出地位。这项工作介绍了 W 18 O 49纳米线在 H 2 O( v ) 气氛下在 W 表面上的生长机制。鉴于详细的热力学考虑，相演变展开。W和H 2 O( v )之间的反应产生WO 3以及作为副产物的H 2。H 2充当WO 3的还原剂并促进W 18 O 49相的形成。相变的完整结晶关系可以表示为W(110)//WO 3 (010)//W 18 O 49 (010)。氧空位引起的平面缺陷是W 18 O 49纳米线1 d [010] 生长的原因。沿着 NW 长度的六边形隧道为 H 2 O( v )创建了一个通道，以重复反应并增加 NW 长度。
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