当前位置:
X-MOL 学术
›
Photonics Res.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
630-nm red InGaN micro-light-emitting diodes (<20 μm × 20 μm) exceeding 1 mW/mm2 for full-color micro-displays
Photonics Research ( IF 6.6 ) Pub Date : 2021-08-23 , DOI: 10.1364/prj.428168 Zhe Zhuang 1 , Daisuke Iida 1 , Martin Velazquez-Rizo 1 , Kazuhiro Ohkawa 1
Photonics Research ( IF 6.6 ) Pub Date : 2021-08-23 , DOI: 10.1364/prj.428168 Zhe Zhuang 1 , Daisuke Iida 1 , Martin Velazquez-Rizo 1 , Kazuhiro Ohkawa 1
Affiliation
We demonstrated arrays of InGaN micro-light-emitting diodes (μLEDs) with a peak wavelength from 662 to 630 nm at . The on-wafer external quantum efficiency reached 0.18% at . The output power density of the red μLEDs was obtained as , which was estimated to be higher than that of AlInGaP red μLEDs (). Finally, we demonstrate that InGaN red/green/blue μLEDs could exhibit a wide color gamut covering 81.3% and 79.1% of the Rec. 2020 color space in CIE 1931 and 1976 diagrams, respectively.
中文翻译:
630nm 红色 InGaN 微型发光二极管(<20 μm × 20 μm)超过 1 mW/mm2 用于全彩微型显示器
我们展示了 InGaN 阵列 峰值波长为 662 至 630 nm 的微型发光二极管 (μLED) . 晶圆外量子效率达到 0.18%. 红色 μLED 的输出功率密度为,估计高于 AlInGaP 红色 μLED()。最后,我们证明了 InGaN 红/绿/蓝 μLED 可以表现出覆盖 Rec 81.3% 和 79.1% 的宽色域。分别为 CIE 1931 和 1976 图中的 2020 色彩空间。
更新日期:2021-09-02
中文翻译:
630nm 红色 InGaN 微型发光二极管(<20 μm × 20 μm)超过 1 mW/mm2 用于全彩微型显示器
我们展示了 InGaN 阵列 峰值波长为 662 至 630 nm 的微型发光二极管 (μLED) . 晶圆外量子效率达到 0.18%. 红色 μLED 的输出功率密度为,估计高于 AlInGaP 红色 μLED()。最后,我们证明了 InGaN 红/绿/蓝 μLED 可以表现出覆盖 Rec 81.3% 和 79.1% 的宽色域。分别为 CIE 1931 和 1976 图中的 2020 色彩空间。