We use atomistic quantum transport device simulations to investigate the contact resistance ( RC) in monoelemental 2D material nanoribbon MOSFETs with edge contacts. The consequences of attaching metal electrodes to source/drain regions are investigated for various metal-channel interaction strengths and nanoribbon dimensions. We find that RC is minimized by using moderately interacting metallic materials, and that the minimum RC is ~ 150 Ω·μm in graphene, silicene and germanene, and ~ 430 Ω·μm in phosphorene nanodevices with edge contacts.

中文翻译：

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具有边缘接触的单元素二维材料纳米器件中的最小接触电阻


我们使用原子量子传输器件模拟来研究具有边缘接触的单元素 2D 材料纳米带 MOSFET 中的接触电阻 (RC)。研究了将金属电极连接到源极/漏极区域的后果，以了解各种金属通道相互作用强度和纳米带尺寸。我们发现通过使用适度相互作用的金属材料可以最小化 RC，石墨烯、硅烯和锗烯中的最小 RC 约为 150 Ω·μm，具有边缘接触的磷烯纳米器件中的最小 RC 约为 430 Ω·μm。