基于 GeSn/Ge/Si 耦合光电二极管的 CMOS 兼容偏置可调双波段探测器,ACS Photonics

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基于 GeSn/Ge/Si 耦合光电二极管的 CMOS 兼容偏置可调双波段探测器
ACS Photonics ( IF 7 ) Pub Date : 2021-07-12 , DOI: 10.1021/acsphotonics.1c00617
Enrico Talamas Simola _{1,

2} , Vivien Kiyek ₂ , Andrea Ballabio ₁ , Viktoria Schlykow ₂ , Jacopo Frigerio ₁ , Carlo Zucchetti ₁ , Andrea De Iacovo ₃ , Lorenzo Colace ₃ , Yuji Yamamoto ₄ , Giovanni Capellini _{4,

5} , Detlev Grützmacher ₂ , Dan Buca ₂ , Giovanni Isella ₁

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随着对高光谱灵敏度、室温操作、CMOS 兼容设备的需求不断增长，红外 (IR) 多光谱检测越来越受到关注。在这里，我们提出了一个两端双波段检测器，它在两个不同的红外波段提供偏置可切换的光谱响应。该器件是从垂直 GeSn/Ge/Si 堆栈中获得的，形成双结nipin结构，外延生长在 Si 晶片上。光响应可以通过反转近波和短波红外波段之间的偏置极性来切换，比检测率为1.9 × 10 ¹⁰和4.0 × 10 ⁹ cm·(Hz) ^1/2/W，分别。如溶剂检测测试所示，使用相同像素检测两个光谱带的可能性开辟了红外成像和材料识别领域的有趣应用。连续电压调谐与探测器的非线性光响应相结合，实现了一种新的光谱分析方法，通过识别单色光束的波长来证明。

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更新日期：2021-07-21

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