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Silver- and Silver–Hydrogen-Related Defects in Silicon
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science Pub Date : 2021-07-07 , DOI: 10.1002/pssa.202100217 Katarzyna Gwozdz 1 , Vladimir Kolkovsky 2
Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science Pub Date : 2021-07-07 , DOI: 10.1002/pssa.202100217 Katarzyna Gwozdz 1 , Vladimir Kolkovsky 2
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Herein, the electrical and structural properties of Ag- and AgH-related defects in n- and p-type Si are reinvestigated using conventional deep-level transient spectroscopy (DLTS) and high-resolution Laplace DLTS. It is evidenced that a peak corresponding to substitutional Ag does not always appear in as-grown Si and additional heat treatments are necessary to observe this defect. Several AgH-related peaks, which were not previously reported in the literature, are observed in hydrogenated n- and p-type Si. The electrical properties of these defects are determined and their origin is discussed. By using high-resolution Laplace DLTS, the depth profiles of AgH-related defects previously assigned to AgSH and AgSH2 are analyzed, and their assignments are questioned.
中文翻译：
硅中与银和银氢相关的缺陷
在此，使用传统的深能级瞬态光谱 (DLTS) 和高分辨率拉普拉斯 DLTS 重新研究了 n 型和 p 型 Si 中 Ag 和 AgH 相关缺陷的电学和结构特性。有证据表明，对应于替代 Ag 的峰并不总是出现在生长的 Si 中，并且需要额外的热处理来观察这种缺陷。在氢化的 n 型和 p 型 Si 中观察到几个以前没有在文献中报道过的 AgH 相关峰。确定了这些缺陷的电气特性并讨论了它们的起源。通过使用高分辨率拉普拉斯 DLTS，先前分配给 Ag S H 和 Ag S H 2的 AgH 相关缺陷的深度分布 被分析，并质疑他们的任务。
更新日期：2021-07-07
中文翻译：
硅中与银和银氢相关的缺陷
在此，使用传统的深能级瞬态光谱 (DLTS) 和高分辨率拉普拉斯 DLTS 重新研究了 n 型和 p 型 Si 中 Ag 和 AgH 相关缺陷的电学和结构特性。有证据表明，对应于替代 Ag 的峰并不总是出现在生长的 Si 中，并且需要额外的热处理来观察这种缺陷。在氢化的 n 型和 p 型 Si 中观察到几个以前没有在文献中报道过的 AgH 相关峰。确定了这些缺陷的电气特性并讨论了它们的起源。通过使用高分辨率拉普拉斯 DLTS，先前分配给 Ag S H 和 Ag S H 2的 AgH 相关缺陷的深度分布 被分析，并质疑他们的任务。
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