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位错对碲化镉汞红外光电探测器中 1/f 噪声的贡献
Infrared Physics & Technology ( IF 3.4 ) Pub Date : 2006-04-01 , DOI: 10.1016/j.infrared.2005.04.005 Vishnu Gopal , Sudha Gupta
Infrared Physics & Technology ( IF 3.4 ) Pub Date : 2006-04-01 , DOI: 10.1016/j.infrared.2005.04.005 Vishnu Gopal , Sudha Gupta
通过分析碲化镉汞 (HgCdTe) 二极管的噪声、暗电流和零偏置电阻面积积的温度依赖性，研究了位错对 1/f 噪声的贡献。结果表明，无论二极管的类型如何，即 n-on-p 或 p-on-n，位错对 1/f 噪声的贡献都可以用 in =1 · 10 2 Ish 和 in =6 · 10 来描述4 Ish 分别用于平面和台面配置，其中，Ish 是通过二极管基极中的位错传导的电流。已经提出了一种与位错的分流电阻行为一致的物理模型，以了解位错在增强这些二极管的 1/f 噪声中的作用。 2005 Elsevier BV 版权所有。
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更新日期：2006-04-01
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