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Computer Modeling Indicates Dramatically Less DNA Damage from Far-UVC Krypton Chloride Lamps (222 nm) than from Sunlight Exposure
Photochemistry and Photobiology ( IF 2.6 ) Pub Date : 2021-06-23 , DOI: 10.1111/php.13477 Ewan Eadie 1 , Paul O'Mahoney 2 , Louise Finlayson 3 , Isla Rose Mary Barnard 3 , Sally Helen Ibbotson 2 , Kenneth Wood 3
Photochemistry and Photobiology ( IF 2.6 ) Pub Date : 2021-06-23 , DOI: 10.1111/php.13477 Ewan Eadie 1 , Paul O'Mahoney 2 , Louise Finlayson 3 , Isla Rose Mary Barnard 3 , Sally Helen Ibbotson 2 , Kenneth Wood 3
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This study aims to investigate, with computer modeling, the DNA damage (assessed by cyclobutane pyrimidine dimer (CPD) formation) from far-ultraviolet C (far-UVC) in comparison with sunlight exposure in both a temperate (Harwell, England) and Mediterranean (Thessaloniki, Greece) climate. The research utilizes the published results from Barnard et al. [Barnard, I.R.M (2020) Photodermatol. Photoimmunol. Photomed. 36, 476–477] to determine the relative CPD yield of unfiltered and filtered far-UVC and sunlight exposure. Under current American Conference of Governmental Industrial Hygienists (ACGIH) exposure limits, 10 min of sunlight at an ultraviolet (UV) Index of 4—typical throughout the day in a temperate climate from Spring to Autumn—produces equivalent numbers of CPD as 700 h of unfiltered far-UVC or more than 30 000 h of filtered far-UVC at the basal layer. At the top of the epidermis, these values are reduced to 30 and 300 h, respectively. In terms of DNA damage induction, as assessed by CPD formation, the risk from sunlight exposure greatly exceeds the risk from far-UVC. However, the photochemistry that will occur in the stratum corneum from absorption of the vast majority of the high-energy far-UVC photons is unknown, as are the consequences.
中文翻译：
计算机建模表明，远 UVC 氯化氪灯 (222 nm) 对 DNA 的损伤显着低于阳光照射
本研究旨在通过计算机建模研究远紫外线 C（远 UVC）的 DNA 损伤（通过环丁烷嘧啶二聚体 (CPD) 形成来评估）与温带地区（英国哈威尔）和地中海地区的阳光照射相比（希腊塞萨洛尼基）气候。该研究利用了 Barnard 等人发表的结果。[巴纳德，IRM (2020) Photodermatol。光免疫。拍照。36 ,476–477] 以确定未过滤和过滤的远 UVC 和阳光照射的相对 CPD 产率。根据当前美国政府工业卫生学家会议 (ACGIH) 的暴露限制，紫外线 (UV) 指数为 4 的阳光照射 10 分钟（通常在春季到秋季的温带气候中全天）产生相当于 700 小时的 CPD未过滤的远 UVC 或在基底层过滤的远 UVC 超过 30 000 小时。在表皮的顶部，这些值分别减少到 30 和 300 小时。在 DNA 损伤诱导方面，根据 CPD 形成的评估，阳光照射的风险大大超过远紫外线的风险。然而，由于吸收绝大多数高能远UVC光子而在角质层中发生的光化学及其后果尚不清楚。
更新日期：2021-06-23
中文翻译：
计算机建模表明，远 UVC 氯化氪灯 (222 nm) 对 DNA 的损伤显着低于阳光照射
本研究旨在通过计算机建模研究远紫外线 C（远 UVC）的 DNA 损伤（通过环丁烷嘧啶二聚体 (CPD) 形成来评估）与温带地区（英国哈威尔）和地中海地区的阳光照射相比（希腊塞萨洛尼基）气候。该研究利用了 Barnard 等人发表的结果。[巴纳德，IRM (2020) Photodermatol。光免疫。拍照。36 ,476–477] 以确定未过滤和过滤的远 UVC 和阳光照射的相对 CPD 产率。根据当前美国政府工业卫生学家会议 (ACGIH) 的暴露限制，紫外线 (UV) 指数为 4 的阳光照射 10 分钟（通常在春季到秋季的温带气候中全天）产生相当于 700 小时的 CPD未过滤的远 UVC 或在基底层过滤的远 UVC 超过 30 000 小时。在表皮的顶部，这些值分别减少到 30 和 300 小时。在 DNA 损伤诱导方面，根据 CPD 形成的评估，阳光照射的风险大大超过远紫外线的风险。然而，由于吸收绝大多数高能远UVC光子而在角质层中发生的光化学及其后果尚不清楚。
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