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A dual-power-path charge pump for solar-energy harvesting
International Journal of Circuit Theory and Applications ( IF 1.8 ) Pub Date : 2021-06-06 , DOI: 10.1002/cta.3072 Tin Wai Mui 1 , Jianxin Yang 2 , Yajun Lin 1 , Yong Zhou 1 , Yanqi Zheng 2 , Jianping Guo 3 , Ka Nang Leung 1
International Journal of Circuit Theory and Applications ( IF 1.8 ) Pub Date : 2021-06-06 , DOI: 10.1002/cta.3072 Tin Wai Mui 1 , Jianxin Yang 2 , Yajun Lin 1 , Yong Zhou 1 , Yanqi Zheng 2 , Jianping Guo 3 , Ka Nang Leung 1
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A 5-stage linear charge pump with dual power paths for solar-energy harvesting, implemented in a standard CMOS 180-nm technology, is proposed. The dual power paths are implemented by normal-VTH and low-VTH MOSFETs. The low-VTH MOSFET path reduces the minimum input voltage to 132.5 mV under no-load condition, and another path formed by both low-VTH and normal-VTH MOSFETs achieves output current up to 11 mA at 0.3 V supply. With proposed arrangement of normal-VTH and low-VTH MOSFETs, reversion loss due to the leakage current of low-VTH MOSFETs in off-state is minimized to achieve peak power-conversion efficiency of 85%.
中文翻译：
一种用于太阳能收集的双电源路径电荷泵
提出了一种采用标准 CMOS 180 纳米技术实现的用于太阳能收集的具有双电源路径的 5 级线性电荷泵。双电源路径由正常V TH和低V TH MOSFET 实现。低V TH MOSFET 路径在空载条件下将最小输入电压降低至 132.5 mV，而由低V TH和正常V TH MOSFET形成的另一条路径可在 0.3 V 电源下实现高达 11 mA 的输出电流。建议使用正常V TH和低V TH MOSFET 的布置，由于低V TH的漏电流导致的反转损耗 关断状态的 MOSFET 被最小化，以实现 85% 的峰值功率转换效率。
更新日期：2021-06-06
中文翻译：
一种用于太阳能收集的双电源路径电荷泵
提出了一种采用标准 CMOS 180 纳米技术实现的用于太阳能收集的具有双电源路径的 5 级线性电荷泵。双电源路径由正常V TH和低V TH MOSFET 实现。低V TH MOSFET 路径在空载条件下将最小输入电压降低至 132.5 mV，而由低V TH和正常V TH MOSFET形成的另一条路径可在 0.3 V 电源下实现高达 11 mA 的输出电流。建议使用正常V TH和低V TH MOSFET 的布置，由于低V TH的漏电流导致的反转损耗 关断状态的 MOSFET 被最小化，以实现 85% 的峰值功率转换效率。
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