This letter presents a lower phase noise voltage‐controlled oscillator (VCO) uses two differential amplifiers in cross‐coupled feedback and is named as a buffer‐reused VCO in the TSMC standard 0.18 μm SiGe BiCMOS processes. The die area is 1.1 × 1.2 mm². The first amplifier uses HBT stacking on nMOSFET and the second amplifier uses nMOS amplifier. Its power consumption of 2.65 mW with output buffer current, the phase noise is −128.81 dBc/Hz at 1 MHz offset frequency from the center frequency 4.19 GHz. The figure of merit (FOM) is −194.08 dBc/Hz.

中文翻译：

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低相位噪声缓冲器重复使用的BiCMOS振荡器

这封信介绍了一个低相位噪声压控振荡器（VCO），它在交叉耦合反馈中使用了两个差分放大器，在TSMC标准的0.18μmSiGe BiCMOS工艺中被称为缓冲器重用的VCO。模具面积为1.1×1.2mm ²。第一个放大器使用nMOSFET上的HBT堆叠，第二个放大器使用nMOS放大器。在具有输出缓冲电流的情况下，其功耗为2.65 mW，在从中心频率4.19 GHz偏移1 MHz时，相位噪声为−128.81 dBc / Hz。品质因数（FOM）为−194.08 dBc / Hz。