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12.7 MA/cm2 On-Current Density and High Uniformity Realized in AgGeSe/Al2O3 Selectors
IEEE Electron Device Letters ( IF 4.9 ) Pub Date : 2021-02-23 , DOI: 10.1109/led.2021.3061620 Tian-Qing Wan , Yi-Fan Lu , Jun-Hui Yuan , Hao-Yang Li , Yi Li , Xiao-Di Huang , Kan-Hao Xue , Xiang-Shui Miao
IEEE Electron Device Letters ( IF 4.9 ) Pub Date : 2021-02-23 , DOI: 10.1109/led.2021.3061620 Tian-Qing Wan , Yi-Fan Lu , Jun-Hui Yuan , Hao-Yang Li , Yi Li , Xiao-Di Huang , Kan-Hao Xue , Xiang-Shui Miao
We propose an AgGeSe/Al
2
O
3
/Pt selector with great potential in a dense memory array. In terms of on-current drive, selectivity, and uniformity, devices with the mixed AgGeSe layer outperform the Ag/Al
2
O
3
/Pt device. The introduction of GeSe not only blocks the diffusion of Ag, but also facilitates the backflow of Ag to the active electrode, therefore increasing the on-current. The ultra-high on-current drive (3 mA and 12.7 MA/cm
2
), high selectivity (10
10
), small variation, high thermal stability, and steep switching slope (0.27 mV/dec) realized in our AgGeSe/Al
2
O
3
/Pt device render it a promising candidate for selector application.
中文翻译：
AgGeSe / Al 2 O 3选择器实现了12.7 MA / cm 2的通流密度和高度均匀性
我们提出了 在密集存储阵列中具有巨大潜力的AgGeSe / Al 2 O 3 / Pt选择器。在电流驱动，选择性和均匀性方面，具有混合AgGeSe层的器件性能优于Ag / Al 2 O 3 / Pt器件。GeSe的引入不仅阻止了Ag的扩散，而且还促进了Ag向有源电极的回流，因此增加了导通电流。 在我们的AgGeSe / Al 2中实现了超高导通电流驱动（3 mA和12.7 MA / cm 2 ），高选择性（10 10），变化小，高热稳定性和陡峭的开关斜率（0.27 mV / dec） Ø 3 / Pt设备使其成为选择器应用程序的有希望的候选人。
更新日期：2021-03-26
中文翻译：
AgGeSe / Al 2 O 3选择器实现了12.7 MA / cm 2的通流密度和高度均匀性
我们提出了 在密集存储阵列中具有巨大潜力的AgGeSe / Al 2 O 3 / Pt选择器。在电流驱动，选择性和均匀性方面，具有混合AgGeSe层的器件性能优于Ag / Al 2 O 3 / Pt器件。GeSe的引入不仅阻止了Ag的扩散，而且还促进了Ag向有源电极的回流，因此增加了导通电流。 在我们的AgGeSe / Al 2中实现了超高导通电流驱动（3 mA和12.7 MA / cm 2 ），高选择性（10 10），变化小，高热稳定性和陡峭的开关斜率（0.27 mV / dec） Ø 3 / Pt设备使其成为选择器应用程序的有希望的候选人。
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