当前位置：
X-MOL 学术
›
arXiv.cs.ET
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
忆阻纵横开关的实验人体输入三阶段直流偏移校准方案
arXiv - CS - Emerging Technologies Pub Date : 2021-03-03 , DOI: arxiv-2103.02651 Charanraj Mohan, L. A. Camuñas-Mesa, Elisa Vianello, Carlo Reita, José M. de la Rosa, Teresa Serrano-Gotarredona, Bernabé Linares-Barranco
arXiv - CS - Emerging Technologies Pub Date : 2021-03-03 , DOI: arxiv-2103.02651 Charanraj Mohan, L. A. Camuñas-Mesa, Elisa Vianello, Carlo Reita, José M. de la Rosa, Teresa Serrano-Gotarredona, Bernabé Linares-Barranco
在神经形态电路中同时读取多个ReRAM会增加功耗并限制可扩展性。当读出电路的失调电压决定性地更大时，施加小的推断读脉冲是徒劳的。本文介绍了一种三阶段校准方案的实验验证，该方案用于校准忆阻交叉开关各行之间的直流偏移电压。所提出的方法是基于通过一系列分三级排列的级联电阻器组对缓冲器的一个差分对MOSFET中的一个MOSFET的本体端子进行偏置的：粗级，精级和精级。该电路采用130 nm CMOS技术设计，其中基于OxRAM的二进制忆阻器构建在该电路之上。已经设计了专用的PCB和其他辅助板来测试芯片。
"点击查看英文标题和摘要"
更新日期：2021-03-05
"点击查看英文标题和摘要"
京公网安备 11010802027423号