当前位置：
X-MOL 学术
›
IEEE Trans. Nucl. Sci.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
Reflectance of Silicon Photomultipliers at Vacuum Ultraviolet Wavelengths
IEEE Transactions on Nuclear Science ( IF 1.9 ) Pub Date : 2020-11-02 , DOI: 10.1109/tns.2020.3035172 P. Lv , G. F. Cao , L. J. Wen , S. Al Kharusi , G. Anton , I. J. Arnquist , I. Badhrees , P. S. Barbeau , D. Beck , V. Belov , T. Bhatta , P. A. Breur , J. P. Brodsky , E. Brown , T. Brunner , S. Byrne Mamahit , E. Caden , L. Cao , C. Chambers , B. Chana , S. A. Charlebois , M. Chiu , B. Cleveland , M. Coon , A. Craycraft , J. Dalmasson , T. Daniels , L. Darroch , A. De St. Croix , A. Der Mesrobian-Kabakian , K. Deslandes , R. DeVoe , M. L. Di Vacri , J. Dilling , Y. Y. Ding , M. J. Dolinski , L. Doria , A. Dragone , J. Echevers , F. Edaltafar , M. Elbeltagi , L. Fabris , D. Fairbank , W. Fairbank , J. Farine , S. Ferrara , S. Feyzbakhsh , A. Fucarino , G. Gallina , P. Gautam , G. Giacomini , D. Goeldi , R. Gornea , G. Gratta , E. V. Hansen , M. Heffner , E. W. Hoppe , J. Hobl , A. House , M. Hughes , A. Iverson , A. Jamil , M. J. Jewell , X. S. Jiang , A. Karelin , L. J. Kaufman , T. Koffas , R. Krucken , A. Kuchenkov , K. S. Kumar , Y. Lan , A. Larson , K. G. Leach , B. G. Lenardo , D. S. Leonard , G. Li , S. Li , Z. Li , C. Licciardi , R. MacLellan , N. Massacret , T. McElroy , M. Medina-Peregrina , T. Michel , B. Mong , D. C. Moore , K. Murray , P. Nakarmi , C. R. Natzke , R. J. Newby , Z. Ning , O. Njoya , F. Nolet , O. Nusair , K. Odgers , A. Odian , M. Oriunno , J. L. Orrell , G. S. Ortega , I. Ostrovskiy , C. T. Overman , S. Parent , A. Piepke , A. Pocar , J. -F. Pratte , V. Radeka , E. Raguzin , S. Rescia , F. Retiere , M. Richman , A. Robinson , T. Rossignol , P. C. Rowson , N. Roy , J. Runge , R. Saldanha , S. Sangiorgio , K. Skarpaas , A. K. Soma , G. St-Hilaire , V. Stekhanov , T. Stiegler , X. L. Sun , M. Tarka , J. Todd , T. I. Totev , R. Tsang , T. Tsang , F. Vachon , V. Veeraraghavan , S. Viel , G. Visser , C. Vivo-Vilches , J.-L. Vuilleumier , M. Wagenpfeil , T. Wager , M. Walent , Q. Wang , J. Watkins , W. Wei , U. Wichoski , S. X. Wu , W. H. Wu , X. Wu , Q. Xia , H. Yang , L. Yang , O. Zeldovich , J. Zhao , Y. Zhou , T. Ziegler
IEEE Transactions on Nuclear Science ( IF 1.9 ) Pub Date : 2020-11-02 , DOI: 10.1109/tns.2020.3035172 P. Lv , G. F. Cao , L. J. Wen , S. Al Kharusi , G. Anton , I. J. Arnquist , I. Badhrees , P. S. Barbeau , D. Beck , V. Belov , T. Bhatta , P. A. Breur , J. P. Brodsky , E. Brown , T. Brunner , S. Byrne Mamahit , E. Caden , L. Cao , C. Chambers , B. Chana , S. A. Charlebois , M. Chiu , B. Cleveland , M. Coon , A. Craycraft , J. Dalmasson , T. Daniels , L. Darroch , A. De St. Croix , A. Der Mesrobian-Kabakian , K. Deslandes , R. DeVoe , M. L. Di Vacri , J. Dilling , Y. Y. Ding , M. J. Dolinski , L. Doria , A. Dragone , J. Echevers , F. Edaltafar , M. Elbeltagi , L. Fabris , D. Fairbank , W. Fairbank , J. Farine , S. Ferrara , S. Feyzbakhsh , A. Fucarino , G. Gallina , P. Gautam , G. Giacomini , D. Goeldi , R. Gornea , G. Gratta , E. V. Hansen , M. Heffner , E. W. Hoppe , J. Hobl , A. House , M. Hughes , A. Iverson , A. Jamil , M. J. Jewell , X. S. Jiang , A. Karelin , L. J. Kaufman , T. Koffas , R. Krucken , A. Kuchenkov , K. S. Kumar , Y. Lan , A. Larson , K. G. Leach , B. G. Lenardo , D. S. Leonard , G. Li , S. Li , Z. Li , C. Licciardi , R. MacLellan , N. Massacret , T. McElroy , M. Medina-Peregrina , T. Michel , B. Mong , D. C. Moore , K. Murray , P. Nakarmi , C. R. Natzke , R. J. Newby , Z. Ning , O. Njoya , F. Nolet , O. Nusair , K. Odgers , A. Odian , M. Oriunno , J. L. Orrell , G. S. Ortega , I. Ostrovskiy , C. T. Overman , S. Parent , A. Piepke , A. Pocar , J. -F. Pratte , V. Radeka , E. Raguzin , S. Rescia , F. Retiere , M. Richman , A. Robinson , T. Rossignol , P. C. Rowson , N. Roy , J. Runge , R. Saldanha , S. Sangiorgio , K. Skarpaas , A. K. Soma , G. St-Hilaire , V. Stekhanov , T. Stiegler , X. L. Sun , M. Tarka , J. Todd , T. I. Totev , R. Tsang , T. Tsang , F. Vachon , V. Veeraraghavan , S. Viel , G. Visser , C. Vivo-Vilches , J.-L. Vuilleumier , M. Wagenpfeil , T. Wager , M. Walent , Q. Wang , J. Watkins , W. Wei , U. Wichoski , S. X. Wu , W. H. Wu , X. Wu , Q. Xia , H. Yang , L. Yang , O. Zeldovich , J. Zhao , Y. Zhou , T. Ziegler
Characterization of the vacuum ultraviolet (VUV) reflectance of silicon photomultipliers (SiPMs) is important for large-scale SiPM-based photodetector systems. We report the angular dependence of the specular reflectance in vacuum of SiPMs manufactured by Fondazionc Bruno Kessler (FBK) and Hamamatsu Photonics K.K. (HPK) over wavelengths ranging from 120 to 280 nm. Refractive index and extinction coefficient of the thin silicon-dioxide film deposited on the surface of the FBK SiPMs are derived from reflectance data of an FBK silicon wafer with the same deposited oxide film as SiPMs. The diffuse reflectance of SiPMs is also measured at 193 nm. We use the VUV spectral dependence of the optical constants to predict the reflectance of the FBK silicon wafer and FBK SiPMs in liquid xenon.
中文翻译：
硅光电倍增管在真空紫外波长下的反射率
硅光电倍增管 (SiPM) 的真空紫外 (VUV) 反射率表征对于基于 SiPM 的大规模光电探测器系统非常重要。我们报告了由 Fondazionc Bruno Kessler (FBK) 和 Hamamatsu Photonics KK (HPK) 制造的 SiPM 在 120 至 280 nm 波长范围内的真空中镜面反射率的角度依赖性。 FBK SiPM 表面沉积的二氧化硅薄膜的折射率和消光系数是从具有与 SiPM 相同的沉积氧化膜的 FBK 硅片的反射率数据得出的。 SiPM 的漫反射率也在 193 nm 处测量。我们利用光学常数的 VUV 光谱依赖性来预测 FBK 硅片和 FBK SiPM 在液氙中的反射率。
更新日期：2020-11-02
中文翻译：
硅光电倍增管在真空紫外波长下的反射率
硅光电倍增管 (SiPM) 的真空紫外 (VUV) 反射率表征对于基于 SiPM 的大规模光电探测器系统非常重要。我们报告了由 Fondazionc Bruno Kessler (FBK) 和 Hamamatsu Photonics KK (HPK) 制造的 SiPM 在 120 至 280 nm 波长范围内的真空中镜面反射率的角度依赖性。 FBK SiPM 表面沉积的二氧化硅薄膜的折射率和消光系数是从具有与 SiPM 相同的沉积氧化膜的 FBK 硅片的反射率数据得出的。 SiPM 的漫反射率也在 193 nm 处测量。我们利用光学常数的 VUV 光谱依赖性来预测 FBK 硅片和 FBK SiPM 在液氙中的反射率。
京公网安备 11010802027423号