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1.5 μm Epitaxially Regrown Photonic Crystal Surface Emitting Laser Diode
IEEE Photonics Technology Letters ( IF 2.3 ) Pub Date : 2020-12-15 , DOI: 10.1109/lpt.2020.3039059 Zijun Bian , Katherine J. Rae , Adam F. McKenzie , Ben C. King , Nasser Babazadeh , Guangrui Li , Jonathan R. Orchard , Neil D. Gerrard , Stephen Thoms , Donald A. MacLaren , Richard J. E. Taylor , David Childs , Richard A. Hogg
IEEE Photonics Technology Letters ( IF 2.3 ) Pub Date : 2020-12-15 , DOI: 10.1109/lpt.2020.3039059 Zijun Bian , Katherine J. Rae , Adam F. McKenzie , Ben C. King , Nasser Babazadeh , Guangrui Li , Jonathan R. Orchard , Neil D. Gerrard , Stephen Thoms , Donald A. MacLaren , Richard J. E. Taylor , David Childs , Richard A. Hogg
We present an InP-based epitaxially regrown photonic crystal surface emitting laser diode, operating under pulsed electrical drive at room temperature, and lasing at 1523 nm. This opens the route to the development of high efficiency InP based surface emitting lasers.
中文翻译：
1.5 μm 外延再生长光子晶体表面发射激光二极管
我们提出了一种基于 InP 的外延再生长光子晶体表面发射激光二极管，在室温下在脉冲电驱动下工作，并在 1523 nm 处发射激光。这为开发基于 InP 的高效表面发射激光器开辟了道路。
更新日期：2020-12-15
中文翻译：
1.5 μm 外延再生长光子晶体表面发射激光二极管
我们提出了一种基于 InP 的外延再生长光子晶体表面发射激光二极管，在室温下在脉冲电驱动下工作，并在 1523 nm 处发射激光。这为开发基于 InP 的高效表面发射激光器开辟了道路。
京公网安备 11010802027423号