In article number 2002849, Youngdong Yoo and co‐workers chemically build mixed‐dimensional in‐plane 1D‐2D Mo₆Te₆–MoTe₂ heterostructures in which semiconducting few‐layer 2H MoTe₂ circular domains are edge‐contacted by metallic 1D Mo₆Te₆ wire networks. These in‐plane 1D–2D metal–semiconductor heterostructures can be utilized as advanced materials for high‐performance 2D electronics.

中文翻译：

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混合尺寸的异质结构：通过Te-Flux控制的化学气相沉积合成的1D Mo6Te6和2D MoTe2的混合尺寸的平面异质结构（Small 47/2020）

在编号2002849中，Youngdong Yoo及其同事化学构建了混合平面1D-2D Mo ₆ Te ₆ -MoTe ₂异质结构，其中半导体层2H MoTe _2的半圆形圆形区域与金属1D Mo ₆边缘接触。Te ₆有线网络。这些平面1D–2D金属-半导体异质结构可以用作高性能2D电子产品的高级材料。