Abstract This work aims to give readers a comprehensive understanding of the optoelectronic properties of the CuCrO2 delafossite oxide. CuCrO2 is a transparent conductive thin film material with excellent intrinsic p-type conductivity. Lots of excellent properties has been investigated extensively, such as the photocatalytic properties, the thermoelectric properties and the ferromagnetic properties, etc. This work generally introduces the various properties and application scenarios of CuCrO2. With the lattice diagram and XRD spectrum, the crystal structure of CuCrO2 is discussed in detail, which shows that the 3R-CuCrO2 is more stable than 2H-CuCrO2. After comparison between the optoelectronic properties between CuCrO2 and other Ag- and Cu-based delafossite oxide, we conclude that CuCrO2 has the best optoelectronic properties among those delafossite materials, and the solubility for external impurity is also the highest. Then this work summarizes the advantages of CuCrO2 in the applications of optoelectronic devices. The band structure of CuCrO2 calculated by PBE, PBE+U and HSE functionals are summarized in detail. The p-type conductivity of CuCrO2 is analyzed and explained through the spin density function image, which shows that the holes are deduced from the copper vacancies, interstitial oxygen, and external impurity substituting Cr sites. At last, the recent researches on the pure CuCrO2 and Mg/Ni doping CuCrO2 are discussed elaborately. We outlook the current status of the work about the CuCrO2 delafossite oxide and the possible work in the future.

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p型CuCrO2透明导电膜的光电特性研究

摘要 这项工作旨在让读者全面了解 CuCrO2 金铁矿氧化物的光电特性。CuCrO2 是一种透明导电薄膜材料，具有优良的本征 p 型导电性。许多优异的性能已被广泛研究，如光催化性能、热电性能和铁磁性能等。这项工作总体介绍了 CuCrO2 的各种性能和应用场景。通过晶格图和XRD谱，详细讨论了CuCrO2的晶体结构，表明3R-CuCrO2比2H-CuCrO2更稳定。在比较 CuCrO2 与其他 Ag 基和 Cu 基金铁矿氧化物的光电性能后，我们得出结论，CuCrO2 在这些金铁矿材料中具有最好的光电性能，对外部杂质的溶解度也是最高的。然后这项工作总结了CuCrO2在光电器件应用中的优势。详细总结了通过 PBE、PBE+U 和 HSE 泛函计算的 CuCrO2 的能带结构。通过自旋密度函数图像分析和解释了CuCrO2的p型导电性，表明空穴是由铜空位、间隙氧和外部杂质取代Cr位点推导出来的。最后详细讨论了近年来纯CuCrO2和Mg/Ni掺杂CuCrO2的研究进展。我们展望了 CuCrO2 铜铁矿氧化物的工作现状和未来可能的工作。对外界杂质的溶解度也是最高的。然后这项工作总结了CuCrO2在光电器件应用中的优势。详细总结了通过 PBE、PBE+U 和 HSE 泛函计算的 CuCrO2 的能带结构。通过自旋密度函数图像分析和解释了CuCrO2的p型导电性，表明空穴是由铜空位、间隙氧和外部杂质取代Cr位点推导出来的。最后详细讨论了近年来纯CuCrO2和Mg/Ni掺杂CuCrO2的研究进展。我们展望了 CuCrO2 铜铁矿氧化物的工作现状和未来可能的工作。对外界杂质的溶解度也是最高的。然后这项工作总结了CuCrO2在光电器件应用中的优势。详细总结了通过 PBE、PBE+U 和 HSE 泛函计算的 CuCrO2 的能带结构。通过自旋密度函数图像分析和解释了CuCrO2的p型导电性，表明空穴是由铜空位、间隙氧和外部杂质取代Cr位点推导出来的。最后详细讨论了近年来纯CuCrO2和Mg/Ni掺杂CuCrO2的研究进展。我们展望了 CuCrO2 铜铁矿氧化物的工作现状和未来可能的工作。详细总结了通过 PBE、PBE+U 和 HSE 泛函计算的 CuCrO2 的能带结构。通过自旋密度函数图像分析和解释了CuCrO2的p型导电性，表明空穴是由铜空位、间隙氧和外部杂质取代Cr位点推导出来的。最后详细讨论了近年来纯CuCrO2和Mg/Ni掺杂CuCrO2的研究进展。我们展望了 CuCrO2 铜铁矿氧化物的工作现状和未来可能的工作。详细总结了通过 PBE、PBE+U 和 HSE 泛函计算的 CuCrO2 的能带结构。通过自旋密度函数图像分析和解释了CuCrO2的p型导电性，表明空穴是由铜空位、间隙氧和外部杂质取代Cr位点推导出来的。最后详细讨论了近年来纯CuCrO2和Mg/Ni掺杂CuCrO2的研究进展。我们展望了 CuCrO2 铜铁矿氧化物的工作现状和未来可能的工作。详细讨论了近年来对纯CuCrO2和Mg/Ni掺杂CuCrO2的研究。我们展望了 CuCrO2 铜铁矿氧化物的工作现状和未来可能的工作。详细讨论了近年来对纯CuCrO2和Mg/Ni掺杂CuCrO2的研究。我们展望了 CuCrO2 金矿氧化物的工作现状和未来可能的工作。