Abstract This study is original work on semiconductor materials for gamma-ray detectors and fast neutron removal cross-section. This work is focused on the investigating of γ-ray interactions using Cu2MnGeS4, Cu2MnGeSe4, and Cu2MnGeTe4 semiconductor compounds. The photon interaction parameters (MAC, LAC, HVL, TVL, MEF, ACS, ECS, Zeff, Neff, Ceff, Zeq, EBF, and EABF) of the three different semiconductor compounds were graphically presented within 0.015–15 MeV energy range. A useful comparison with regular radiation shielding with standard glass materials with these samples has been developed. Cu2MnGeSe4 and Cu2MnGeTe4 semiconductor compounds have higher values of MAC and LAC compared with ordinary and steel magnetite concrete at the 0.1, 10, and 15 MeV. Interestingly, the checked semiconductor samples named Cu2MnGeSe4 andCu2MnGeTe4 have lower values for HVL and MFP than some commercial glasses used in radiation safety applications. At 15 KeV, Zeff values are 27.13, 32.11 and 39.21 and Neff values are 3.41, 2.71 and 2.47 × 1023 electron cm−3 for Cu2MnGeS4, Cu2MnGeSe4, and Cu2MnGeTe4 semiconductor compounds, respectively. Semiconductor compounds have better neutron protection features compared to RS-520, RS-253-G18, and RS-360 standard glassy materials. In a large energy range, the third sample, Cu2MnGeTe4, showed high sensing for gamma-rays and neutrons. These studies are very important for the manufacture of detectors for semiconductors used for X and gamma-ray measurements (detection of radiation).

中文翻译：

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Cu2MnGe[S、Se、Te]4 半导体化合物的伽马射线衰减、快速中子去除截面和堆积因子：新方法

摘要 这项研究是伽马射线探测器半导体材料和快速中子去除截面的原创性工作。这项工作的重点是使用 Cu2MnGeS4、Cu2MnGeSe4 和 Cu2MnGeTe4 半导体化合物研究 γ 射线相互作用。三种不同半导体化合物的光子相互作用参数（MAC、LAC、HVL、TVL、MEF、ACS、ECS、Zeff、Neff、Ceff、Zeq、EBF 和 EABF）以图形方式呈现在 0.015-15 MeV 能量范围内。已经开发出与使用这些样品的标准玻璃材料的常规辐射屏蔽的有用比较。与普通和钢磁铁矿混凝土相比，Cu2MnGeSe4 和 Cu2MnGeTe4 半导体化合物在 0.1、10 和 15 MeV 下具有更高的 MAC 和 LAC 值。有趣的是，被检查的名为 Cu2MnGeSe4 和 Cu2MnGeTe4 的半导体样品的 HVL 和 MFP 值低于辐射安全应用中使用的一些商业玻璃。在 15 KeV 时，Cu2MnGeS4、Cu2MnGeSe4 和 Cu2MnGeTe4 半导体化合物的 Zeff 值分别为 27.13、32.11 和 39.21，Neff 值分别为 3.41、2.71 和 2.47 × 1023 电子 cm-3。与 RS-520、RS-253-G18 和 RS-360 标准玻璃材料相比，半导体化合物具有更好的中子保护功能。在较大的能量范围内，第三个样品 Cu2MnGeTe4 显示出对伽马射线和中子的高感测。这些研究对于制造用于 X 和伽马射线测量（辐射检测）的半导体探测器非常重要。Cu2MnGeS4、Cu2MnGeSe4和Cu2MnGeTe4半导体化合物的Zeff值分别为27.13、32.11和39.21，Neff值分别为3.41、2.71和2.47×1023电子cm-3。与 RS-520、RS-253-G18 和 RS-360 标准玻璃材料相比，半导体化合物具有更好的中子保护功能。在较大的能量范围内，第三个样品 Cu2MnGeTe4 显示出对伽马射线和中子的高感测。这些研究对于制造用于 X 和伽马射线测量（辐射检测）的半导体探测器非常重要。Cu2MnGeS4、Cu2MnGeSe4和Cu2MnGeTe4半导体化合物的Zeff值分别为27.13、32.11和39.21，Neff值分别为3.41、2.71和2.47×1023电子cm-3。与 RS-520、RS-253-G18 和 RS-360 标准玻璃材料相比，半导体化合物具有更好的中子保护功能。在较大的能量范围内，第三个样品 Cu2MnGeTe4 显示出对伽马射线和中子的高感测。这些研究对于制造用于 X 和伽马射线测量（辐射检测）的半导体探测器非常重要。和 RS-360 标准玻璃材料。在较大的能量范围内，第三个样品 Cu2MnGeTe4 显示出对伽马射线和中子的高感测。这些研究对于制造用于 X 和伽马射线测量（辐射检测）的半导体探测器非常重要。和 RS-360 标准玻璃材料。在较大的能量范围内，第三个样品 Cu2MnGeTe4 显示出对伽马射线和中子的高感测。这些研究对于制造用于 X 和伽马射线测量（辐射检测）的半导体探测器非常重要。