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基于CsPbBr 3纳米晶体的高性能单模垂直腔表面发射激光器,工艺简化
Chemical Engineering Journal ( IF 15.1 ) Pub Date : 2020-11-09 , DOI: 10.1016/j.cej.2020.127660
Chunhu Zhao , Jiahua Tao , Jiao Tian , Guoen Weng , Huimin Liu , Yuejun Liu , Jiyu Yan , Shengjie Chen , Yanlin Pan , Xiaobo Hu , Shaoqiang Chen , Hidefumi Akiyama , Junhao Chu

钙钛矿纳米晶体(PNC)已经成为激光应用中非常有前途的光学增益材料。尽管最近有关于其激光性能的报道激增,但由于其增益不均匀,实现基于PNC的单模垂直腔表面发射激光器(VCSEL)仍然是一个挑战。在这里,我们成功地演示了使用CsPbBr 3的高性能单模VCSEL。通过简便的配体辅助再沉淀策略合成的PNC。制作了具有宽晶体尺寸范围的光学增益介质,并且期望每个PNC的密集组件都可以提供均匀的光学连续体,以减少增益饱和的不均匀性。制成的VCSEL在〜541 nm处表现出出色的单模激光发射,无模式跳变,且自发发射耦合系数高达〜0.24,比氮化物基VCSEL高一个数量级。通过条纹相机直接观察,激光设备的受激发射呈现出约10 ps的超快速衰减,并且电子空穴等离子体(EHP)机制被认为是VCSEL中受激发射的原因。





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更新日期:2020-11-09
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