The physics-based BTI Analysis Tool (BAT) is used to model the time kinetics of threshold voltage shift (ΔVT) during and after NBTI in p-channel planar bulk and FDSOI MOSFETs and SOI FinFETs. BAT uses uncorrelated contributions from the trap generation at the channel/gate insulator interface (ΔVIT) and gate insulator bulk (ΔVOT), and hole trapping in pre-existing gate insulator bulk traps (ΔVHT). The ΔVIT kinetics is simulated by the Reaction-Diffusion (RD) model. The empirical ΔVHT model used earlier is now substituted by the Activated Barrier Double Well Thermionic (ABDWT) model. The ABDWT model is also used to verify the time constant of the electron capture induced fast ΔVIT recovery. Empirical equations are used for ΔVOT. The enhanced BAT modeling framework is validated using measured data from a wide range of experimental conditions and across different device architectures and gate insulator processes.

中文翻译：

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P 沟道平面体和 FDSOI MOSFET 和 FinFET 中的直流 - 交流 NBTI 应力 - 恢复时间动力学建模


基于物理的 BTI 分析工具 (BAT) 用于对 p 沟道平面体以及 FDSOI MOSFET 和 SOI FinFET 中 NBTI 期间和之后阈值电压偏移 (ΔVT) 的时间动力学进行建模。 BAT 使用沟道/栅极绝缘体界面 (ΔVIT) 和栅极绝缘体体 (ΔVOT) 处的陷阱生成以及预先存在的栅极绝缘体体陷阱 (ΔVHT) 中的空穴捕获的不相关贡献。 ΔVIT 动力学通过反应扩散 (RD) 模型进行模拟。先前使用的经验 ΔVHT 模型现在已被激活势垒双井热离子 (ABDWT) 模型所取代。 ABDWT 模型还用于验证电子捕获引起的快速 ΔVIT 恢复的时间常数。 ΔVOT 使用经验方程。增强型 BAT 建模框架使用来自各种实验条件以及不同器件架构和栅极绝缘体工艺的测量数据进行了验证。