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插层式V 2 O 3具有快速的Mg 2+扩散动力学，可实现高容量和长寿命的镁离子存储
ACS Sustainable Chemistry & Engineering ( IF 7.1 ) Pub Date : 2020-10-21 , DOI: 10.1021/acssuschemeng.0c04734 Cunyuan Pei 1 , Mengda Jin 1 , Yameng Yin 1 , Fangyu Xiong 1 , Yalong Jiang 1 , Xiaofang Yuan 2 , Fang Wang 3 , Qinyou An 1, 4
ACS Sustainable Chemistry & Engineering ( IF 7.1 ) Pub Date : 2020-10-21 , DOI: 10.1021/acssuschemeng.0c04734 Cunyuan Pei 1 , Mengda Jin 1 , Yameng Yin 1 , Fangyu Xiong 1 , Yalong Jiang 1 , Xiaofang Yuan 2 , Fang Wang 3 , Qinyou An 1, 4
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V 2 O 3是一种很有前途的电极材料，因为它的大型隧道结构由3D V–V网络组成，并且具有各种具有高理论容量的碱金属离子存储机制。然而，其进一步发展的艰巨挑战是电导率低和循环期间体积变化大。本文制备了三维还原氧化石墨烯（rGO）网络支撑的V 2 O 3纳米颗粒的独特结构，并将其用作镁离子电池的正极材料。V 2 O 3 @rGO具有增强的导电性和结构稳定性，可实现高比容量（291.3 mAh g –1），增强的倍率性能（在2 A g –1的高电流密度下为185.3 mAh g –1）和出色的循环稳定性（在0.5 A g –1的1000次循环后，容量保持率为88.5％）。另外，详细的研究揭示了可逆的嵌入Mg储存机理，体积膨胀以及V 2 O 3中插入的Mg离子的位置。优异的电化学性能和高度可逆的嵌入机制表明，所构建的V 2 O 3 @rGO是用于Mg离子存储的有希望的候选者。
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更新日期：2020-11-02
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