当前位置：
X-MOL 学术
›
J. Phys. Soc. Jpn.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
Method for Analyzing the Temperature and Pressure Dependence of the Growth of an Oxide Film in the Thermal Oxidation of Si and SiC
Journal of the Physical Society of Japan ( IF 1.5 ) Pub Date : 2020-10-15 , DOI: 10.7566/jpsj.89.104602 Makoto Itoh 1
Journal of the Physical Society of Japan ( IF 1.5 ) Pub Date : 2020-10-15 , DOI: 10.7566/jpsj.89.104602 Makoto Itoh 1
Affiliation
A method for analyzing the temperature and pressure dependence of the growth of an oxide film in the thermal oxidation of Si and SiC is devised. By using it, the experimental data of the oxide film...
中文翻译：
分析Si和SiC热氧化中氧化膜生长的温度和压力依赖性的方法
设计了一种用于分析 Si 和 SiC 热氧化中氧化膜生长的温度和压力依赖性的方法。通过使用它，氧化膜的实验数据...
更新日期：2020-10-15
中文翻译：
分析Si和SiC热氧化中氧化膜生长的温度和压力依赖性的方法
设计了一种用于分析 Si 和 SiC 热氧化中氧化膜生长的温度和压力依赖性的方法。通过使用它，氧化膜的实验数据...
京公网安备 11010802027423号