For a recent replacement metal gate (RMG) FINFET technology using an SOI substrate, an inhomogeneous polish post Tungsten fill of the RMG was discovered. For particular wide-gate structures, the Tungsten polish within the reticle field and across the wafer varied widely despite being in control using the established kerf metrology structure. This was discovered after the technology had been ramped to production. An in-line monitor was needed but could not be dependent on kerf structures to monitor within-reticle variation, since these monitored only narrow-gate within-wafer and wafer-to-wafer variation. So, a within reticle inspection using Electron Beam Inspection (EBI) was used to characterize the within-reticle and within-wafer variation of the wide-gate structures.

中文翻译：

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物理模式下的电子束检测：RMG CMP 的过度抛光监测

对于最近使用 SOI 衬底的替代金属栅极 (RMG) FINFET 技术，发现了不均匀抛光后的 RMG 钨填充。对于特定的宽栅结构，尽管使用已建立的切口计量结构进行控制，但掩模版区域内和整个晶片上的钨抛光变化很大。这是在该技术投入生产后发现的。需要一个在线监测器，但不能依赖于切口结构来监测掩模版内的变化，因为这些监测仅监测晶片内和晶片间的窄栅变化。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 因此，使用电子束检测 (EBI) 的光罩内检测被用来表征宽栅结构的光罩内和晶圆内变化。