This letter presents a 3–6-GHz wideband compact 6-bit phase shifter (PS) in 0.5- $\mu \text{m}$ GaAs pHEMT process. It combines a 3-bit enhanced high-pass/low-pass topology, a 2-bit modified low-pass/resonator topology, and a 1-bit switched-filter structure, with optimized cascade order to achieve a bandwidth (BW) up to 66.7%. Since the proposed PS consists of lumped elements and minimized the number of switches and inductors, it achieves a compact core size of 1.214 mm2. The 64-output state PS exhibits high phase resolution of 5.625° with an rms phase error (PE) of less than 4°, and an insertion loss (IL) less than 6.7 dB at 3–6 GHz. To the best of our knowledge, this PS achieves the largest BW with the smallest chip size among the published 5-bit/6-bit GaAs/GaN PSs over a similar band.

中文翻译：

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采用 0.5μm GaAs 技术的 3-6GHz 宽带紧凑型 6 位移相器

这封信展示了采用 0.5- $\mu \text{m}$ GaAs pHEMT 工艺的 3-6 GHz 宽带紧凑型 6 位移相器 (PS)。它结合了 3 位增强型高通/低通拓扑、2 位改进的低通/谐振器拓扑和 1 位开关滤波器结构，并具有优化的级联顺序以实现带宽 (BW) 上升到 66.7%。由于提议的 PS 由集总元件组成，并且最大限度地减少了开关和电感器的数量，因此它实现了 1.214 mm2 的紧凑磁芯尺寸。64 输出状态 PS 具有 5.625° 的高相位分辨率，均方根相位误差 (PE) 小于 4°，插入损耗 (IL) 在 3–6 GHz 时小于 6.7 dB。据我们所知，在已发布的 5 位/6 位 GaAs/GaN PS 中，该 PS 以最小的芯片尺寸在类似频段上实现了最大的 BW。