We investigated the electrical property of reflective non-alloyed Rh contacts to p-Al0.45Ga0.55N contact layers and the performance of 278 nm flip-chip (FC) LEDs with the Rh and Ni/Au contacts as a function of Mg concentration. The three contact layers contained Mg concentration of 5.7 × 1019 cm−3 (sample A), 1.0 × 1020 cm−3 (sample B), and 1.4 × 1020 cm−3 (sample C). The Rh contacts to the sample A showed non-ohmic behaviour, while the samples B and C were ohmic with contact resistivity of 3.2 × 10−1 and 3.4 × 10−2 Ωcm2, respectively. The FC-LEDs with the sample A, B, and C with the Rh contacts yielded forward voltages of 7.26, 6.24, and 6.30 V, and output power of 10.46, 10.85, and 10.44 mW at 50 A cm−2, respectively, whereas that with the sample C (Ni/Au contact) gave 6.51 V and 6.26 mW. The FC-LEDs with p-Al0.55Ga0.45N (sample D) and p-Al0.61Ga0.39N (sample E) contact layers (with Mg dopant of 8.0 × 1019 cm−3) displayed forward voltage of 7.41 and 8.72 V at 50 A cm−2 and output power of 11.88 and 15.25 mW, respectively. The Wall-plug efficiency of the sample C, D, and E was estimated to be 3.31, 3.21, and 3.50%, respectively. These results show FC-LEDs fabricated with highly Mg-doped p-AlGaN and Rh contact demonstrate reliable performance upon operating at 100 A cm−2.

中文翻译：

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重 Mg 掺杂形成可靠的 Rh 反射欧姆接触，用于 278 nm 深紫外 AlGaN 基发光二极管

我们研究了反射性非合金 Rh 触点与 p-Al0.45Ga0.55N 触点层的电性能，以及具有 Rh 和 Ni/Au 触点的 278 nm 倒装芯片 (FC) LED 的性能与 Mg 浓度的关系。三个接触层包含 5.7 × 1019 cm-3（样品 A）、1.0 × 1020 cm-3（样品 B）和 1.4 × 1020 cm-3（样品 C）的 Mg 浓度。与样品 A 的 Rh 接触显示非欧姆行为，而样品 B 和 C 是欧姆的，接触电阻分别为 3.2 × 10-1 和 3.4 × 10-2 Ωcm2。带有 Rh 触点的样品 A、B 和 C 的 FC-LED 在 50 A cm-2 下产生的正向电压分别为 7.26、6.24 和 6.30 V，输出功率分别为 10.46、10.85 和 10.44 mW，而使用样品 C（Ni/Au 接触）产生 6.51 V 和 6.26 mW。具有 p-Al0.55Ga0.45N（样品 D）和 p-Al0 的 FC-LED。61Ga0.39N（样品 E）接触层（Mg 掺杂剂为 8.0 × 1019 cm-3）在 50 A cm-2 下的正向电压为 7.41 和 8.72 V，输出功率分别为 11.88 和 15.25 mW。样品 C、D 和 E 的壁塞效率估计分别为 3.31、3.21 和 3.50%。这些结果表明，使用高度 Mg 掺杂的 p-AlGaN 和 Rh 触点制造的 FC-LED 在 100 A cm-2 下工作时表现出可靠的性能。