Abstract We make a new type of bipolar Schottky diodes using the p-type La2/3Sr1/3VO3 (LSVO)/n-TiO2 heterostructure. The p-type LSVO metal thin films are grown on various substrates using radio frequency magnetron co-sputtering deposition. We find that the LSVO film grown on anatase TiO2 layer produce the lowest resistivity of 0.28 mΩ cm. We discover that the resistivity decreases with decreasing LSVO film thickness for LSVO/TiO2/Si structures. Hall measurements are performed and the dielectric functions of LSVO films are measured. The effective mass of LSVO/TiO2/Si is determined to be 2.54 ± 0.05 m0. The current-voltage curves of the Schottky diodes of p-LSVO/n-TiO2 is measured and is explained using band alignment diagram. We identify a new type of Schottky diode, where both electrons in n-TiO2 and holes in p-LSVO can flow under bias.

中文翻译：

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基于过渡金属氧化物异质结构的新型肖特基二极管：p-La2/3Sr1/3VO3/n-TiO2

摘要 我们使用 p 型 La2/3Sr1/3VO3 (LSVO)/n-TiO2 异质结构制作了一种新型双极肖特基二极管。使用射频磁控共溅射沉积在各种基板上生长 p 型 LSVO 金属薄膜。我们发现在锐钛矿 TiO2 层上生长的 LSVO 膜产生 0.28 mΩ cm 的最低电阻率。我们发现，对于 LSVO/TiO2/Si 结构，电阻率随着 LSVO 膜厚度的降低而降低。执行霍尔测量并测量 LSVO 薄膜的介电函数。LSVO/TiO2/Si 的有效质量确定为 2.54 ± 0.05 m0。测量 p-LSVO/n-TiO2 肖特基二极管的电流-电压曲线，并使用能带对齐图进行解释。我们确定了一种新型肖特基二极管，其中 n-TiO2 中的电子和 p-LSVO 中的空穴都可以在偏压下流动。