Distributed amplifiers (DAs) are one of the most important and common wideband amplifiers that can use various arrangements in their gain cell structure. One of the gain cells that can be effective in increasing the bandwidth of a distributed amplifier is the pseudo-differential amplifier (PDA). Although pseudo-differential distributed amplifiers (PDDAs) have a wide bandwidth and amplify DC, they have a small voltage gain. In this paper, various circuits with the same power and chip area are proposed to improve the performance of PDDAs. For evaluating and comparing the performance of the proposed circuits, they are implemented in 0.18[Formula: see text][Formula: see text]m RF-CMOS technology. The simulation results reveal that two cascaded PDDAs with three stages have a better performance than three cascaded PDDAs with two stages; in two cascaded PDDAs with three stages, a gain of 9[Formula: see text]dB can be achieved for a bandwidth of 50[Formula: see text]GHz in 0.18[Formula: see text][Formula: see text]m RF-CMOS technology. In this amplifier, parameters S[Formula: see text], S[Formula: see text] and S[Formula: see text] are [Formula: see text]12, [Formula: see text]10 and [Formula: see text]18 dB, respectively; noise figure is 4.3–5.8[Formula: see text]dB, and [Formula: see text] is +4[Formula: see text]dBm. This amplifier consumes 220[Formula: see text]mW power and has a chip area of 0.58[Formula: see text]mm2.

中文翻译：

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利用级联伪差分分布式放大器的高增益带宽CMOS分布式放大器的分析与设计

分布式放大器 (DA) 是最重要和最常见的宽带放大器之一，可以在其增益单元结构中使用各种布置。可以有效增加分布式放大器带宽的增益单元之一是伪差分放大器 (PDA)。尽管伪差分分布式放大器 (PDDA) 具有宽带宽并放大 DC，但它们的电压增益很小。在本文中，提出了具有相同功率和芯片面积的各种电路来提高 PDDA 的性能。为了评估和比较所提出电路的性能，它们在 0.18[公式：见文本][公式：见文本]m RF-CMOS 技术中实现。仿真结果表明，两个三级级联的PDDA比三级级联的三级PDDA具有更好的性能；在具有三级的两个级联 PDDA 中，在 0.18[公式：见文本][公式：见文本]m RF 带宽为 50[公式：见文本]GHz 时，可以获得 9[公式：见文本]d​​B 的增益-CMOS技术。在这个放大器中，参数S[公式：见正文]、S[公式：见正文]和S[公式：见正文]为[公式：见正文]12、[公式：见正文]10和[公式：见正文] ]18 分贝；噪声系数为4.3-5.8[公式：见文]dB，[公式：见文]为+4[公式：见文]dBm。该放大器消耗220[公式：见文]mW功率，芯片面积为0.58[公式：见文]mm 见文]和S[公式：见文]分别为[公式：见文]12、[公式：见文]10和[公式：见文]18 dB；噪声系数为4.3-5.8[公式：见文]dB，[公式：见文]为+4[公式：见文]dBm。该放大器消耗220[公式：见文]mW功率，芯片面积为0.58[公式：见文]mm 见文]和S[公式：见文]分别为[公式：见文]12、[公式：见文]10和[公式：见文]18 dB；噪声系数为4.3-5.8[公式：见文]dB，[公式：见文]为+4[公式：见文]dBm。该放大器消耗220[公式：见文]mW功率，芯片面积为0.58[公式：见文]mm2.