当前位置：
X-MOL 学术
›
Phys. Status Solidi. Rapid Res. Lett.
›
论文详情
Our official English website, www.x-mol.net, welcomes your
feedback! (Note: you will need to create a separate account there.)
Thermal‐Oxidative Growth of Substoichiometric WO3–x Nanowires at Mild Conditions
Physica Status Solidi-Rapid Research Letters ( IF 2.5 ) Pub Date : 2020-07-21 , DOI: 10.1002/pssr.202000235 Davide Spanu 1, 2 , Sandro Recchia 1 , Patrik Schmuki 2, 3 , Marco Altomare 2
Physica Status Solidi-Rapid Research Letters ( IF 2.5 ) Pub Date : 2020-07-21 , DOI: 10.1002/pssr.202000235 Davide Spanu 1, 2 , Sandro Recchia 1 , Patrik Schmuki 2, 3 , Marco Altomare 2
Affiliation
|
Herein, the growth of substoichiometric tungsten oxide (WO3–x) nanowires (NWs) via thermal oxidation of W films (a few 10 to a few 100 nm thick) deposited by Ar‐plasma sputtering on fluorine‐doped tin oxide (FTO) substrates is reported. A thermal treatment at relatively low temperature (525–550 °C) in Ar at atmospheric pressure leads to the conversion of the W films into W suboxide (WO3–x) NW arrays. Such NWs have a length of ≈500 nm and their diameter ranges from 10 to 40 nm depending on the duration of the annealing process. These growth conditions for the formation of WO3–x NWs are significantly milder and more straightforward than those reported in previous literature. This avoids high temperatures (e.g., above 600 °C), vacuum conditions, or the addition of catalysts. A thermal‐oxidative approach of these sputtered films is suitable to directly form WO3–x NWs on various surfaces, including conductive substrates to fabricate photoelectrodes or large‐scale supports, e.g., for smart windows.
中文翻译：
亚化学计量WO3-x纳米线在温和条件下的热氧化生长
在此，通过等离子溅射在掺氟氧化锡（FTO）上沉积的W膜（厚度在10至100 nm之间）对W膜（厚度为10至100 nm的膜）进行热氧化，可以生成亚化学计量的氧化钨（WO 3– x）纳米线（NWs）。报道了底物。在大气压下在相对较低的温度（525–550°C）中在Ar中进行热处理会导致W膜转换为W低氧化物（WO 3– x）NW阵列。此类NW的长度约为500 nm，其直径范围为10到40 nm，具体取决于退火过程的持续时间。这些形成WO 3– x的生长条件NW比以前的文献报道的温和得多，也更直接。这避免了高温（例如，高于600°C），真空条件或催化剂的添加。这些溅射膜的热氧化方法适合在各种表面上直接形成WO 3– x NW，包括导电基底以制造光电极或用于智能窗户的大型支撑物。
更新日期：2020-07-21
中文翻译：
亚化学计量WO3-x纳米线在温和条件下的热氧化生长
在此，通过等离子溅射在掺氟氧化锡（FTO）上沉积的W膜（厚度在10至100 nm之间）对W膜（厚度为10至100 nm的膜）进行热氧化，可以生成亚化学计量的氧化钨（WO 3– x）纳米线（NWs）。报道了底物。在大气压下在相对较低的温度（525–550°C）中在Ar中进行热处理会导致W膜转换为W低氧化物（WO 3– x）NW阵列。此类NW的长度约为500 nm，其直径范围为10到40 nm，具体取决于退火过程的持续时间。这些形成WO 3– x的生长条件NW比以前的文献报道的温和得多，也更直接。这避免了高温（例如，高于600°C），真空条件或催化剂的添加。这些溅射膜的热氧化方法适合在各种表面上直接形成WO 3– x NW，包括导电基底以制造光电极或用于智能窗户的大型支撑物。
京公网安备 11010802027423号